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Disponibile
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MT48LC64M8A2P-7E:C TR
MT48LC64M8A2P-7E:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile2.250
MT48LC64M8A2TG-75:C
MT48LC64M8A2TG-75:C

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile12.768
MT48LC64M8A2TG-75:C TR
MT48LC64M8A2TG-75:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.230
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.222
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C
MT48LC64M8A2TG-75:IT:C

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile17.172
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.840
MT48LC64M8A2TG-75 L:C
MT48LC64M8A2TG-75 L:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.276
MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR
MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile2.826
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.714
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.938
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.390
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR
MT48LC8M16A2B4-6A AIT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.874
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile600
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR
MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile1.236
MT48LC8M16A2B4-6A:L
MT48LC8M16A2B4-6A:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.315
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.318
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.194
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.302
MT48LC8M16A2B4-75:G
MT48LC8M16A2B4-75:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.022
MT48LC8M16A2B4-75:G TR
MT48LC8M16A2B4-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.680
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile7.848
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR
MT48LC8M16A2B4-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile4.734
MT48LC8M16A2F4-75:G TR
MT48LC8M16A2F4-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile3.528
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR
MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile5.094
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.966
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR
MT48LC8M16A2P-6A AAT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.888
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.238
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR
MT48LC8M16A2P-6A AIT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile8.730
MT48LC8M16A2P-6A:G
MT48LC8M16A2P-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.490
MT48LC8M16A2P-6A:G TR
MT48LC8M16A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.158