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Disponibile
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MT48LC4M16A2TG-6:G
MT48LC4M16A2TG-6:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile1.235
MT48LC4M16A2TG-6:G TR
MT48LC4M16A2TG-6:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.086
MT48LC4M16A2TG-6 IT:G
MT48LC4M16A2TG-6 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.454
MT48LC4M16A2TG-75:G TR
MT48LC4M16A2TG-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.246
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR
MT48LC4M16A2TG-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.452
MT48LC4M16A2TG-75 L:G
MT48LC4M16A2TG-75 L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.276
MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR
MT48LC4M16A2TG-75 L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.330
MT48LC4M16A2TG-7E:G TR
MT48LC4M16A2TG-7E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile2.016
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile2.286
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR
MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (4M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile8.856
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.094
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.406
MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L
MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.876
MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L TR
MT48LC4M32B2B5-6A AIT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.814
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.950
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR
MT48LC4M32B2B5-6A IT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.480
MT48LC4M32B2B5-6A:L
MT48LC4M32B2B5-6A:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile862
MT48LC4M32B2B5-6A:L TR
MT48LC4M32B2B5-6A:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.388
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile2.106
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR
MT48LC4M32B2B5-6A XIT:L TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.948
MT48LC4M32B2B5-6:G
MT48LC4M32B2B5-6:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.473
MT48LC4M32B2B5-6:G TR
MT48LC4M32B2B5-6:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.202
MT48LC4M32B2B5-7:G
MT48LC4M32B2B5-7:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile22.712
MT48LC4M32B2B5-7:G TR
MT48LC4M32B2B5-7:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.786
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.850
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.750
MT48LC4M32B2F5-6:G
MT48LC4M32B2F5-6:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile262
MT48LC4M32B2F5-6:G TR
MT48LC4M32B2F5-6:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.420
MT48LC4M32B2F5-7:G TR
MT48LC4M32B2F5-7:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile2.682
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR
MT48LC4M32B2F5-7 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 143MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.5ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.884