Circuiti integrati di memoria

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MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -20°C ~ 75°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile6.858
MT48LC4M32LFF5-10:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile6.300
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile3.744
MT48LC4M32LFF5-8:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile15.269
MT48LC4M32LFF5-8:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile4.806
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile4.374
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 125MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 7ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)	Disponibile4.104
MT48LC64M4A2BB-6A:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x16)	Disponibile3.438
MT48LC64M4A2P-6A:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.856
MT48LC64M4A2P-6A:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.426
MT48LC64M4A2P-75:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.932
MT48LC64M4A2P-75:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile8.280
MT48LC64M4A2P-75 L:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.308
MT48LC64M4A2P-7E:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.384
MT48LC64M4A2P-7E:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.274
MT48LC64M4A2P-7E:G Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile7.074
MT48LC64M4A2P-7E:G TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.076
MT48LC64M4A2TG-6A:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.690
MT48LC64M4A2TG-75:D TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.454
MT48LC64M4A2TG-75 L:D Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.084
MT48LC64M8A2P-75:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile3.472
MT48LC64M8A2P-75:C Alliance Memory, Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile21.216
MT48LC64M8A2P-75:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile2.250
MT48LC64M8A2P-75:C TR Alliance Memory, Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile18.168
MT48LC64M8A2P-75IT:C Alliance Memory, Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.493
MT48LC64M8A2P-75 IT:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile6.012
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.292
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR Alliance Memory, Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile2.538
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR Alliance Memory, Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Alliance Memory, Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile4.608
MT48LC64M8A2P-75 L:C Micron Technology Inc.	Memoria IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Volatile Formato memoria: DRAM Tecnologia: SDRAM Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 133MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns Tempo di accesso: 5.4ns Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II	Disponibile5.256

MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -20°C ~ 75°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile6.858

MT48LC4M32LFF5-10:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile6.300

MT48LC4M32LFF5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 100MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile3.744

MT48LC4M32LFF5-8:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile15.269

MT48LC4M32LFF5-8:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile4.806

MT48LC4M32LFF5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile4.374

MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 125MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 7ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)

Disponibile4.104

MT48LC64M4A2BB-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x16)

Disponibile3.438

MT48LC64M4A2P-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.856

MT48LC64M4A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.426

MT48LC64M4A2P-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.932

MT48LC64M4A2P-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile8.280

MT48LC64M4A2P-75 L:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.308

MT48LC64M4A2P-7E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.384

MT48LC64M4A2P-7E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.274

MT48LC64M4A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile7.074

MT48LC64M4A2P-7E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.076

MT48LC64M4A2TG-6A:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.690

MT48LC64M4A2TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.454

MT48LC64M4A2TG-75 L:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.084

MT48LC64M8A2P-75:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile3.472

MT48LC64M8A2P-75:C

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile21.216

MT48LC64M8A2P-75:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile2.250

MT48LC64M8A2P-75:C TR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile18.168

MT48LC64M8A2P-75IT:C

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.493

MT48LC64M8A2P-75 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile6.012

MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.292

MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile2.538

MT48LC64M8A2P-75IT:C TR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Alliance Memory, Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile4.608

MT48LC64M8A2P-75 L:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Volatile
Formato memoria: DRAM
Tecnologia: SDRAM
Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 133MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
Tempo di accesso: 5.4ns
Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II

Disponibile5.256

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