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Disponibile
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MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -20°C ~ 75°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.858
MT48LC4M32LFF5-10:G
MT48LC4M32LFF5-10:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.300
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G
MT48LC4M32LFF5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.744
MT48LC4M32LFF5-8:G
MT48LC4M32LFF5-8:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile15.269
MT48LC4M32LFF5-8:G TR
MT48LC4M32LFF5-8:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.806
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.374
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR
MT48LC4M32LFF5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.104
MT48LC64M4A2BB-6A:G
MT48LC64M4A2BB-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 60-TFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 60-TFBGA (8x16)
Disponibile3.438
MT48LC64M4A2P-6A:G
MT48LC64M4A2P-6A:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile8.856
MT48LC64M4A2P-6A:G TR
MT48LC64M4A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.426
MT48LC64M4A2P-75:D
MT48LC64M4A2P-75:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.932
MT48LC64M4A2P-75:D TR
MT48LC64M4A2P-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile8.280
MT48LC64M4A2P-75 L:D
MT48LC64M4A2P-75 L:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.308
MT48LC64M4A2P-7E:D
MT48LC64M4A2P-7E:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.384
MT48LC64M4A2P-7E:D TR
MT48LC64M4A2P-7E:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.274
MT48LC64M4A2P-7E:G
MT48LC64M4A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.074
MT48LC64M4A2P-7E:G TR
MT48LC64M4A2P-7E:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.076
MT48LC64M4A2TG-6A:D
MT48LC64M4A2TG-6A:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 167MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 12ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.690
MT48LC64M4A2TG-75:D TR
MT48LC64M4A2TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.454
MT48LC64M4A2TG-75 L:D
MT48LC64M4A2TG-75 L:D

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 256Mb (64M x 4)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.084
MT48LC64M8A2P-75:C
MT48LC64M8A2P-75:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.472
MT48LC64M8A2P-75:C
MT48LC64M8A2P-75:C

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile21.216
MT48LC64M8A2P-75:C TR
MT48LC64M8A2P-75:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile2.250
MT48LC64M8A2P-75:C TR
MT48LC64M8A2P-75:C TR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile18.168
MT48LC64M8A2P-75IT:C
MT48LC64M8A2P-75IT:C

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.493
MT48LC64M8A2P-75 IT:C
MT48LC64M8A2P-75 IT:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.012
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.292
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR
MT48LC64M8A2P-75:IT:CTR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile2.538
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR
MT48LC64M8A2P-75IT:C TR

Alliance Memory, Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Alliance Memory, Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.608
MT48LC64M8A2P-75 L:C
MT48LC64M8A2P-75 L:C

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.256