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MT48LC8M8A2P-7E:G
MT48LC8M8A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile8.514
MT48LC8M8A2P-7E:J
MT48LC8M8A2P-7E:J

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.938
MT48LC8M8A2P-7E:J TR
MT48LC8M8A2P-7E:J TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.038
MT48LC8M8A2P-7E L:G
MT48LC8M8A2P-7E L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.662
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile4.500
MT48LC8M8A2TG-75:G TR
MT48LC8M8A2TG-75:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile6.534
MT48LC8M8A2TG-75 L:G
MT48LC8M8A2TG-75 L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile5.058
MT48LC8M8A2TG-7E L:G
MT48LC8M8A2TG-7E L:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile7.812
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR
MT48LC8M8A2TG-7E L:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM
  • Dimensione della memoria: 64Mb (8M x 8)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 133MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 14ns
  • Tempo di accesso: 5.4ns
  • Tensione - Alimentazione: 3V ~ 3.6V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-TSOP II
Disponibile3.544
MT48V4M32LFB5-10:G
MT48V4M32LFB5-10:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile4.500
MT48V4M32LFB5-10:G TR
MT48V4M32LFB5-10:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.660
MT48V4M32LFB5-10 IT:G
MT48V4M32LFB5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.938
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR
MT48V4M32LFB5-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.416
MT48V4M32LFB5-8:G
MT48V4M32LFB5-8:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.220
MT48V4M32LFB5-8:G TR
MT48V4M32LFB5-8:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.452
MT48V4M32LFB5-8 IT:G
MT48V4M32LFB5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.870
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.110
MT48V4M32LFB5-8 XT:G
MT48V4M32LFB5-8 XT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -20°C ~ 75°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile3.870
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR
MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -20°C ~ 75°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.856
MT48V4M32LFF5-10:G
MT48V4M32LFF5-10:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.652
MT48V4M32LFF5-10 IT:G
MT48V4M32LFF5-10 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile7.200
MT48V4M32LFF5-8:G
MT48V4M32LFF5-8:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile5.598
MT48V4M32LFF5-8:G TR
MT48V4M32LFF5-8:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.586
MT48V4M32LFF5-8 IT:G
MT48V4M32LFF5-8 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile8.964
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (4M x 32)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 90-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 90-VFBGA (8x13)
Disponibile6.192
MT48V8M16LFB4-10:G
MT48V8M16LFB4-10:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.352
MT48V8M16LFB4-10:G TR
MT48V8M16LFB4-10:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile2.610
MT48V8M16LFB4-10 IT:G
MT48V8M16LFB4-10 IT:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile6.912
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR
MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 100MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.622
MT48V8M16LFB4-8:G
MT48V8M16LFB4-8:G

Micron Technology Inc.

Memoria

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

  • Produttore: Micron Technology Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di memoria: Volatile
  • Formato memoria: DRAM
  • Tecnologia: SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dimensione della memoria: 128Mb (8M x 16)
  • Interfaccia di memoria: Parallel
  • Frequenza di clock: 125MHz
  • Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: 15ns
  • Tempo di accesso: 7ns
  • Tensione - Alimentazione: 2.3V ~ 2.7V
  • Temperatura di esercizio: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 54-VFBGA
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 54-VFBGA (8x8)
Disponibile8.912