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Numero parte	Descrizione	Disponibile
RB751CS40,315 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD882 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 120mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 30V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-882 Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile39.135
1N4936RLG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO41 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-41 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile2
MMBD4148W-7-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile908.045
MMBD4448-7-F Diodes Incorporated	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23-3 Produttore: Diodes Incorporated Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile22.159
LL4150GS08 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-80 MiniMELF Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.895
1N4448TR Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 8ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile19.106
1N4448TR ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile15.158
1N5822US Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 40V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B Pacchetto dispositivo fornitore: B, SQ-MELF Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C	Disponibile1.027
C5D50065D Cree/Wolfspeed	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 100A TO247-3 Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Z-Rec® Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 100A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1970pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile348
C3D10170H Cree/Wolfspeed	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 1.7KV 14.4A TO247 Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Z-Rec® Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1700V Corrente - Media Rettificata (Io): 14.4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 1700V Capacità @ Vr, F: 827pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile5.913
CVFD20065A Cree/Wolfspeed	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHKY SIC 650V 20A TO-220 Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Z-Rec® Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 57A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile2.833
FJH1100 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 15V 150MA DO35 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 15V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 100mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10pA @ 15V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile43
VS-HFA16PB120-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 16A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 90ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile16.775
VS-1N1184RA Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 126A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 100V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C	Disponibile275
1N5806US Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A D5A Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile7.748
SCS220AMC Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile2
1N5712 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35 Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 75mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 35mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150nA @ 16V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 (DO-204AH) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile17.147
VS-30EPF06PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 160ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile7.922
VS-8EWF02S-M3 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 55ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile12.435
DSEI20-12A IXYS	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC Produttore: IXYS Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 17A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 750µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile3.299
RHRP15120 ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile47.923
MBRB40250TG ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 250V Corrente - Media Rettificata (Io): 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 40A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 250V Capacità @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile2
C3D02060F Cree/Wolfspeed	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2 Produttore: Cree/Wolfspeed Serie: Z-Rec® Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-F2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile432.037
STPS30SM60SG-TR STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 30A D2PAK Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 615mV @ 30A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 135µA @ 60V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile509
MBRS410LT3G ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 10V 4A SMC Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 10V Corrente - Media Rettificata (Io): 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 330mV @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 10V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore: SMC Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C	Disponibile21.887
CMS05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 5A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 800µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 330pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile3.440
CMS01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 30V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8) Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C	Disponibile1.738
GF1M-E3/67A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: SUPERECTIFIER® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214BA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile2
PMEG3030EP,115 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 3A SOD128 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 3A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 30V Capacità @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore: CFP5 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile1.991
PMEG2010AEB,115 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD523 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.5mA @ 20V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523 Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-523 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile284.242

RB751CS40,315

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOD882

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 120mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-882
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile39.135

1N4936RLG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 300ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-41
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile2

MMBD4148W-7-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-323
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile908.045

MMBD4448-7-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23-3

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 75V
Corrente - Media Rettificata (Io): 250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-23-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile22.159

LL4150GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-80 MiniMELF
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.895

1N4448TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 8ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile19.106

1N4448TR

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile15.158

1N5822US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, B
Pacchetto dispositivo fornitore: B, SQ-MELF
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C

Disponibile1.027

C5D50065D

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 100A TO247-3

Produttore: Cree/Wolfspeed
Serie: Z-Rec®
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 100A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1970pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile348

C3D10170H

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.7KV 14.4A TO247

Produttore: Cree/Wolfspeed
Serie: Z-Rec®
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1700V
Corrente - Media Rettificata (Io): 14.4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 1700V
Capacità @ Vr, F: 827pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile5.913

CVFD20065A

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHKY SIC 650V 20A TO-220

Produttore: Cree/Wolfspeed
Serie: Z-Rec®
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 57A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 80µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile2.833

FJH1100

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 15V 150MA DO35

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 15V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.07V @ 100mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10pA @ 15V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile43

VS-HFA16PB120-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 16A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 16A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 90ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile16.775

VS-1N1184RA

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 126A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 100V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

Disponibile275

1N5806US

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore: D-5A
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile7.748

SCS220AMC

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FM
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile2

1N5712

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 75mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 35mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150nA @ 16V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-35 (DO-204AH)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile17.147

VS-30EPF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.41V @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 160ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile7.922

VS-8EWF02S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 55ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-PAK (TO-252AA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile12.435

DSEI20-12A

IXYS

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC

Produttore: IXYS
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 17A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 60ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 750µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile3.299

RHRP15120

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile47.923

MBRB40250TG

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 250V 40A D2PAK

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 250V
Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 40A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 250V
Capacità @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile2

C3D02060F

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2

Produttore: Cree/Wolfspeed
Serie: Z-Rec®
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-F2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile432.037

STPS30SM60SG-TR

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 30A D2PAK

Produttore: STMicroelectronics
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 615mV @ 30A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 135µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile509

MBRS410LT3G

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 10V 4A SMC

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 10V
Corrente - Media Rettificata (Io): 4A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 330mV @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 10V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C

Disponibile21.887

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 5A MFLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 5A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 5A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 800µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 330pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile3.440

CMS01(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 30V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore: M-FLAT (2.4x3.8)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 125°C

Disponibile1.738

GF1M-E3/67A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: SUPERECTIFIER®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214BA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214BA (GF1)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile2

PMEG3030EP,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 3A SOD128

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 3A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5mA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 470pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore: CFP5
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile1.991

PMEG2010AEB,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD523

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1.5mA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-523
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile284.242

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