Instant Offers

Numero parte	Descrizione	Disponibile
PMEG6010EP,115 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD128 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 60V Capacità @ Vr, F: 120pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-128 Pacchetto dispositivo fornitore: CFP5 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile3.481
PMEG2010ER,115 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V Capacità @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: CFP3 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile4.280
PMEG4010ER,115 Nexperia	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 40V Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOD-123W Pacchetto dispositivo fornitore: CFP3 Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)	Disponibile43.800
BAS3010A03WE6327HTSA1 Infineon Technologies	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 30V Capacità @ Vr, F: 35pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOD323-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C	Richiedi un preventivo
GS1G-LTP Micro Commercial Co	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Produttore: Micro Commercial Co Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA) Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile34.823
RJH65T14DPQ-A0#T0 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT TRENCH 650V 100A TO247A Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A Potenza - Max: 250W Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 80nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 38ns/125ns Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 250ns Temperatura di esercizio: 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247A	Disponibile88
IRGP4760D-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V TO-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 144A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 48A Potenza - Max: 325W Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 145nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 70ns/140ns Condizione di test: 400V, 48A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 170ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile127
IRG8P40N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 305W Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/245ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile128
IRGP4690DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 140A 454W TO247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 140A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Potenza - Max: 454W Switching Energy: 2.47mJ (on), 2.16mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 150nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/200ns Condizione di test: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 155ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile121
NGTB60N60SWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 120A 298W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A Potenza - Max: 298W Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 173nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 87ns/180ns Condizione di test: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 76ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile1.664
STGWA40M120DF3 STMicroelectronics	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3 Produttore: STMicroelectronics Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Potenza - Max: 468W Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 125nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/140ns Condizione di test: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 355ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile185
IRGP6630DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 47A 192W TO247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 47A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 54A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A Potenza - Max: 192W Switching Energy: 75µJ (on), 350µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/95ns Condizione di test: 400V, 18A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile9.609
IRGPS66160DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 160A TO247 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 240A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A Potenza - Max: 750W Switching Energy: 4.47mJ (on), 3.43mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 220nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/190ns Condizione di test: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-274AA Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA)	Disponibile1.669
NGTB25N120FLWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 25A TO247-3 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 192W Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 220nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 91ns/228ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 240ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile5.045
NGTB40N60FLWG ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 80A 257W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Potenza - Max: 257W Switching Energy: 890µJ (on), 440µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 171nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 85ns/174ns Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 77ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile4.486
RJH1CF5RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 50A 192.3W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Potenza - Max: 192.3W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247	Disponibile7.044
IRGP4266PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 650V 140A 450W TO247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 140A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Potenza - Max: 450W Switching Energy: 3.2mJ (on), 1.7mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/200ns Condizione di test: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile2.658
IRG7PH37K10D-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 45A 216W TO247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Potenza - Max: 216W Switching Energy: 1mJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 135nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/240ns Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 120ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile139
AUIRGPS4067D1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 240A 750W TO-274 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 240A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A Potenza - Max: 750W Switching Energy: 8.2mJ (on), 2.9mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 360nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 69ns/198ns Condizione di test: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 360ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA)	Disponibile398
IRGPS4067DPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 240A 750W SUPER-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 240A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A Potenza - Max: 750W Switching Energy: 5.75mJ (on), 3.43mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/190ns Condizione di test: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 130ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-274AA Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA)	Disponibile1.289
APT44GA60B Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 78A 337W TO-247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A Potenza - Max: 337W Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 128nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/84ns Condizione di test: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]	Disponibile1.083
APT102GA60B2 Microsemi	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 183A 780W TO247 Produttore: Microsemi Corporation Serie: POWER MOS 8™ Tipo IGBT: PT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 183A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 307A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A Potenza - Max: 780W Switching Energy: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 294nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/212ns Condizione di test: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile305
RJH60D3DPP-M0#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 35A 30W TO220FL Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 17A Potenza - Max: 40W Switching Energy: 200µJ (on), 210µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 37nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/80ns Condizione di test: 300V, 17A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 100ns Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL	Disponibile2.577
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics America	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1100V 60A 250W TO247 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1100V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A Potenza - Max: 250W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile6.150
AUIRGP50B60PD1E Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 75A 390W TO247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A Potenza - Max: 390W Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 205nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/130ns Condizione di test: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile20.494
AUIRGP50B60PD1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 75A 390W TO247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A Potenza - Max: 390W Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 205nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/130ns Condizione di test: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 42ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile126
IRGR3B60KD2TRLP Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 7.8A 52W DPAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 7.8A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 15.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A Potenza - Max: 52W Switching Energy: 62µJ (on), 39µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 13nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/110ns Condizione di test: 400V, 3A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 77ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak	Disponibile3.565
IRG7PH42UD1PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 85A 313W TO247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 85A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Potenza - Max: 313W Switching Energy: 1.21mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 180nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/270ns Condizione di test: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile2
SKW20N60FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 40A 179W TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Potenza - Max: 179W Switching Energy: 440µJ (on), 330µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 36ns/225ns Condizione di test: 400V, 20A, 16Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 300ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3	Disponibile172.581
IHW15T120FKSA1 Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 30A 113W TO247-3 Produttore: Infineon Technologies Serie: TrenchStop® Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Potenza - Max: 113W Switching Energy: 2.7mJ Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 85nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/520ns Condizione di test: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3	Disponibile154.847

PMEG6010EP,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD128

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 60V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 60µA @ 60V
Capacità @ Vr, F: 120pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-128
Pacchetto dispositivo fornitore: CFP5
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile3.481

PMEG2010ER,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123W

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 20V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 20V
Capacità @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: CFP3
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile4.280

PMEG4010ER,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W

Produttore: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 40V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 40V
Capacità @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SOD-123W
Pacchetto dispositivo fornitore: CFP3
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

Disponibile43.800

BAS3010A03WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323-2

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 30V
Capacità @ Vr, F: 35pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-SOD323-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C

Richiedi un preventivo

GS1G-LTP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttore: Micro Commercial Co
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile34.823

RJH65T14DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo IGBT: Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
Potenza - Max: 250W
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.2mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 80nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 38ns/125ns
Condizione di test: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 250ns
Temperatura di esercizio: 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247A

Disponibile88

IRGP4760D-EPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 650V TO-247

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 90A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 144A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 48A
Potenza - Max: 325W
Switching Energy: 1.7mJ (on), 1mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 145nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 70ns/140ns
Condizione di test: 400V, 48A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 170ns
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD

Disponibile127

IRG8P40N120KDPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Potenza - Max: 305W
Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 240nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/245ns
Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC

Disponibile128

IRGP4690DPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 140A 454W TO247AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 140A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max: 454W
Switching Energy: 2.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 150nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/200ns
Condizione di test: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 155ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC

Disponibile121

NGTB60N60SWG

ON Semiconductor

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 120A 298W TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
Potenza - Max: 298W
Switching Energy: 1.41mJ (on), 600µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 173nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 87ns/180ns
Condizione di test: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 76ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile1.664

STGWA40M120DF3

STMicroelectronics

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3

Produttore: STMicroelectronics
Serie: -
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Potenza - Max: 468W
Switching Energy: 1.03mJ (on), 480µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 125nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/140ns
Condizione di test: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 355ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile185

IRGP6630DPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 47A 192W TO247AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 47A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 54A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 18A
Potenza - Max: 192W
Switching Energy: 75µJ (on), 350µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 30nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/95ns
Condizione di test: 400V, 18A, 22Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 70ns
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC

Disponibile9.609

IRGPS66160DPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 160A TO247

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 240A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 120A
Potenza - Max: 750W
Switching Energy: 4.47mJ (on), 3.43mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 220nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/190ns
Condizione di test: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-274AA
Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA)

Disponibile1.669

NGTB25N120FLWG

ON Semiconductor

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 25A TO247-3

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Potenza - Max: 192W
Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 220nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 91ns/228ns
Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 240ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile5.045

NGTB40N60FLWG

ON Semiconductor

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 80A 257W TO247

Produttore: ON Semiconductor
Serie: -
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Potenza - Max: 257W
Switching Energy: 890µJ (on), 440µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 171nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 85ns/174ns
Condizione di test: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 77ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile4.486

RJH1CF5RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 50A 192.3W TO247

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Potenza - Max: 192.3W
Switching Energy: -
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -
Condizione di test: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247

Disponibile7.044

IRGP4266PBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 650V 140A 450W TO247AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 140A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Potenza - Max: 450W
Switching Energy: 3.2mJ (on), 1.7mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 210nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/200ns
Condizione di test: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): -
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC

Disponibile2.658

IRG7PH37K10D-EPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 45A 216W TO247AD

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Potenza - Max: 216W
Switching Energy: 1mJ (on), 600µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 135nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/240ns
Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 120ns
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD

Disponibile139

AUIRGPS4067D1

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 240A 750W TO-274

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 240A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
Potenza - Max: 750W
Switching Energy: 8.2mJ (on), 2.9mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 360nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 69ns/198ns
Condizione di test: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 360ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA)

Disponibile398

IRGPS4067DPBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 240A 750W SUPER-247

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 240A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
Potenza - Max: 750W
Switching Energy: 5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 240nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/190ns
Condizione di test: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 130ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-274AA
Pacchetto dispositivo fornitore: SUPER-247™ (TO-274AA)

Disponibile1.289

APT44GA60B

Microsemi

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 78A 337W TO-247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: POWER MOS 8™
Tipo IGBT: PT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 78A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 130A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 26A
Potenza - Max: 337W
Switching Energy: 409µJ (on), 258µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 128nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 16ns/84ns
Condizione di test: 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): -
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247 [B]

Disponibile1.083

APT102GA60B2

Microsemi

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 183A 780W TO247

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: POWER MOS 8™
Tipo IGBT: PT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 183A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 307A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
Potenza - Max: 780W
Switching Energy: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 294nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/212ns
Condizione di test: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): -
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile305

RJH60D3DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 35A 30W TO220FL

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo IGBT: Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 17A
Potenza - Max: 40W
Switching Energy: 200µJ (on), 210µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 37nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/80ns
Condizione di test: 300V, 17A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 100ns
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220FL

Disponibile2.577

RJH1BF7RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1100V 60A 250W TO247

Produttore: Renesas Electronics America
Serie: -
Tipo IGBT: -
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1100V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A
Potenza - Max: 250W
Switching Energy: -
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -
Condizione di test: -
Tempo di recupero inverso (trr): -
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3

Disponibile6.150

AUIRGP50B60PD1E

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 75A 390W TO247AD

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: NPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Potenza - Max: 390W
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 205nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/130ns
Condizione di test: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD

Disponibile20.494

AUIRGP50B60PD1

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 75A 390W TO247AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: NPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A
Potenza - Max: 390W
Switching Energy: 255µJ (on), 375µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 205nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/130ns
Condizione di test: 390V, 33A, 3.3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 42ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC

Disponibile126

IRGR3B60KD2TRLP

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 7.8A 52W DPAK

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: NPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 7.8A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 15.6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 3A
Potenza - Max: 52W
Switching Energy: 62µJ (on), 39µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 13nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 18ns/110ns
Condizione di test: 400V, 3A, 100Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 77ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore: D-Pak

Disponibile3.565

IRG7PH42UD1PBF

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 85A 313W TO247AC

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: Trench
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 85A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Potenza - Max: 313W
Switching Energy: 1.21mJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 180nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/270ns
Condizione di test: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): -
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC

Disponibile2

SKW20N60FKSA1

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 600V 40A 179W TO247-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: -
Tipo IGBT: NPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Potenza - Max: 179W
Switching Energy: 440µJ (on), 330µJ (off)
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 36ns/225ns
Condizione di test: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 300ns
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3

Disponibile172.581

IHW15T120FKSA1

Infineon Technologies

Transistor - IGBT - Singolo

IGBT 1200V 30A 113W TO247-3

Produttore: Infineon Technologies
Serie: TrenchStop®
Tipo IGBT: Trench Field Stop
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Potenza - Max: 113W
Switching Energy: 2.7mJ
Tipo di ingresso: Standard
Gate Charge: 85nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/520ns
Condizione di test: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr): 140ns
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3

Disponibile154.847

Send Message

Certifications

Instant Offers

Risorse

Supporto

Social Media

Need Help?
Send Message