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SS25

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AA

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C

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S2K

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 2A SMB

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 2A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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S1D-E3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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RGP10K

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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S1J-E3/5AT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (SMA)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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BAS21W,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT323

• Produttore: Nexperia USA Inc.
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 250V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 225mA (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 200mA
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100nA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

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C4D20120H

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

ZRECTM 20A 1200V SIC SCHOTTKY DI

• Produttore: Cree/Wolfspeed
• Serie: Z-Rec®
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 54A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1.5nF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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VS-123NQ100PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 120A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 120A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: 2650pF @ 5V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Chassis Mount
• Pacchetto / Custodia: D-67 HALF-PAK
• Pacchetto dispositivo fornitore: D-67
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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SCS220KGC

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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FFSH30120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

1200V 30A SIC SBD

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 46A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1740pF @ 1V, 100kHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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IDW30G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO247-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 30A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 220µA @ 650V
• Capacità @ Vr, F: 860pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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VS-70HF80

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 70A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1N1190A

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 40A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 190°C

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SCS220AGHRC

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO-220-2

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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1N5809

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: B, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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DSDI60-16A

IXYS

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.6KV 63A TO247AD

• Produttore: IXYS
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 63A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 4.1V @ 70A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 300ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2mA @ 1600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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VS-HFA16PB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: HEXFRED®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 16A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 16A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 135ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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STPSC15H12D

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220AC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 90µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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VS-150EBU02

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 200V 150A POWIRTAB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: FRED Pt®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 150A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.13V @ 150A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 45ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: PowerTab™, PowIRtab™
• Pacchetto dispositivo fornitore: PowIRtab™
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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VS-70HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 70A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15mA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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STPSC20065WY

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 20A DO247

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 650V
• Capacità @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-247-2 (Straight Leads)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-247
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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SCS212AGHRC

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO-220-2

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 12A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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IDH16G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 34A TO220-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 34A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 16A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 53µA @ 420V
• Capacità @ Vr, F: 783pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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1N5620

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

• Produttore: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 2µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: A, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: -
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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IDW12G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247-3

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 190µA @ 650V
• Capacità @ Vr, F: 360pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO247-3
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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VS-60EPS12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.09V @ 60A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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VS-60APU04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 60A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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VS-40EPF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 40A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 40A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 180ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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VS-60EPS08PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 60A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.09V @ 60A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

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VS-100BGQ100

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 100A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.04V @ 100A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 100V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: PowerTab™, PowIRtab™
• Pacchetto dispositivo fornitore: PowIRtab™
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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