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S1FLJ-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 600V 700MA DO219AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 700mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 1.8µs
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-219AB
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-219AB (SMF)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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RS3DB-13-F

Diodes Incorporated

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

• Produttore: Diodes Incorporated
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AB, SMC
• Pacchetto dispositivo fornitore: SMC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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1SS196(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

• Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 80V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 100mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA
• Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 80V
• Capacità @ Vr, F: 3pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: SC-59-3
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 125°C (Max)

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RS07D-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 200V 500MA DO219AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 500mA
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 700mA
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: 9pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-219AB
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-219AB (SMF)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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1PS70SB10,115

Nexperia

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323

• Produttore: Nexperia USA Inc.
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 30V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 200mA (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA
• Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2µA @ 25V
• Capacità @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
• Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)

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FS1M-TP

Micro Commercial Co

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

• Produttore: Micro Commercial Co
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AC, SMA
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AC (HSMA)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -50°C ~ 150°C

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MBR8045

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 45V 80A DO5

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 80A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1mA @ 45V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-5
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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C4D10120H

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

ZRECTM 10A 1200V SIC SCHOTTKY DI

• Produttore: Cree/Wolfspeed
• Serie: Z-Rec®
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 31.5A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 754pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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C6D10065A

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

10A 650V G6 ZREC SIC SCHOTTKY DI

• Produttore: Cree/Wolfspeed
• Serie: Z-Rec®
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 37A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 650V
• Capacità @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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STPSC20065D

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: ECOPACK®2
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 650V
• Capacità @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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FFSP10120A

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

• Produttore: ON Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 10A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 612pF @ 1V, 100kHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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IDH12G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 27A TO220-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 27A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 12A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 420V
• Capacità @ Vr, F: 594pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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IDH10G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2

• Produttore: Infineon Technologies
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 24A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 10A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 33µA @ 420V
• Capacità @ Vr, F: 495pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: PG-TO220-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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STPSC10065D

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: ECOPACK®2
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 10A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 130µA @ 650V
• Capacità @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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RS2K-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 800V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1.5A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 800V
• Capacità @ Vr, F: 17pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Surface Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-214AA, SMB
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-214AA (SMB)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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BYV26A-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE AVALANCHE 200V 1A SOD57

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Avalanche
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: SOD-57, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: SOD-57
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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1N4936GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: SUPERECTIFIER®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 200ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

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VS-HFA30PB120-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 4.1V @ 30A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 170ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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SCS210KE2C

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: -
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: -
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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STPSC20H12DY

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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STPSC20H12D

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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1N3892

GeneSiC Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

• Produttore: GeneSiC Semiconductor
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 12A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 12A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 200ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 25µA @ 50V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AA, DO-4, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-4
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

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VS-1N1188A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 126A
• Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): -
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 2.5mA @ 400V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
• Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

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STPSC20065DY

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHTKY 650V 20A TO220AC

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

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SCS206AGHRC

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO-220-2

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 6A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 600V
• Capacità @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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STTH30S12W

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2.9V @ 30A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 50ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 15µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: DO-247-2 (Straight Leads)
• Pacchetto dispositivo fornitore: DO-247
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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STTH810DI

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AB

• Produttore: STMicroelectronics
• Serie: -
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1000V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 2V @ 8A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 85ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1000V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-3
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220Ins
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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SCS220KGHRC

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1200V 20A TO220-2

• Produttore: Rohm Semiconductor
• Serie: Automotive, AEC-Q101
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 20A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 20A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
• Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

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C4D15120A

Cree/Wolfspeed

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2

• Produttore: Cree/Wolfspeed
• Serie: Z-Rec®
• Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 43.5A (DC)
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A
• Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-220-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

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VS-HFA30PB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247AC

• Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
• Serie: HEXFRED®
• Tipo di diodo: Standard
• Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
• Corrente - Media Rettificata (Io): 30A
• Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 4.1V @ 30A
• Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Tempo di recupero inverso (trr): 170ns
• Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40µA @ 1200V
• Capacità @ Vr, F: -
• Tipo di montaggio: Through Hole
• Pacchetto / Custodia: TO-247-2
• Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC Modified
• Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

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