IDH10G65C6XKSA1
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Numero parte | IDH10G65C6XKSA1 | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | IDH10G65C6XKSA1 | ||||||||||||||||||
Descrizione | DIODE SCHOTTKY 650V 24A TO220-2 | ||||||||||||||||||
Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 1.404 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IDH10G65C6XKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IDH10G65C6XKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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IDH10G65C6XKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | - |
Tipo di diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 24A (DC) |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 33µA @ 420V |
Capacità @ Vr, F | 495pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2 |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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