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Numero parte	Descrizione	Disponibile
DSEP15-12CR IXYS	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1.2KV 15A ISOPLUS247 Produttore: IXYS Serie: HiPerDynFRED™ Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 4.04V @ 15A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C	Disponibile6.491
DSI45-16AR IXYS	Raddrizzatori - Singoli DIODE GP 1.6KV 48A ISOPLUS247 Produttore: IXYS Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V Corrente - Media Rettificata (Io): 48A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.18V @ 40A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 1600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™ Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™ Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile1
VS-12F20 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.26V @ 38A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 12mA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-203AA, DO-4, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AA Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile659
FFP08S60SNTU ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L Produttore: ON Semiconductor Serie: STEALTH™ II Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.4V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 32ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile368
VS-300U40A Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 300A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 942A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40mA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C	Disponibile230
UES1303 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 925mV @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: B, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile79
VS-70HFR120 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO203AB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 70A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 180°C	Disponibile54
MBR40250G ON Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2 Produttore: ON Semiconductor Serie: SWITCHMODE™ Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 250V Corrente - Media Rettificata (Io): 40A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 40A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 250V Capacità @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2 Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C	Disponibile591
MEO450-12DA IXYS	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6 Produttore: IXYS Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 453A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.96V @ 520A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 500ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 24mA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Y4-M6 Pacchetto dispositivo fornitore: Y4-M6 Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C	Disponibile1.804
JANS1N5809 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/477 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: B, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile1.894
JANS1N5806 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/477 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 25ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V Capacità @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile354
JANTX1N4153-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 50V 150MA DO204AH Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr): 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile1.929
JAN1N5420 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/411 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 400ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: B, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: B, Axial Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile289
JANTX1N6638 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/578 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 20ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 125V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: D, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile909
JANTX1N5819-1 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/586 Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 45V Capacità @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C	Disponibile1.690
SCS215AJHRTLL Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO263AB Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 15A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile7.485
JAN1N4942 Microsemi	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/359 Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V Corrente - Media Rettificata (Io): 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: A, Axial Pacchetto dispositivo fornitore: - Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C	Disponibile5.304
SCS220AJTLL Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO263AB Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile1.150
STPSC20065GY-TR STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODES AND RECTIFIERS Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile4.218
SCS212AJHRTLL Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile4.970
SCS210AJHRTLL Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB Produttore: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile3.422
VS-HFA08TB120PBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile88
VS-HFA25TB60SPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 25A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 75ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile345
VS-80EBU04 Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 400V 80A POWIRTAB Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: FRED Pt® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V Corrente - Media Rettificata (Io): 80A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 80A Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 400V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: PowerTab™, PowIRtab™ Pacchetto dispositivo fornitore: PowIRtab™ Temperatura di esercizio - Giunzione: -	Disponibile301
NXPSC10650Q WeEn Semiconductors	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC Produttore: WeEn Semiconductors Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile475
VS-HFA06TB120SPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Raddrizzatori - Singoli DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: HEXFRED® Tipo di diodo: Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C	Disponibile6.439
SCS212AJTLL Rohm Semiconductor	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 600V Capacità @ Vr, F: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)	Disponibile951
STPSC12065G2Y-TR STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK HV Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile1.734
STPSC12065GY-TR STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODES AND RECTIFIERS Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 12A Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V Capacità @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile248
STPSC12C065DY STMicroelectronics	Raddrizzatori - Singoli DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC Produttore: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2 Tipo di diodo: Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V Corrente - Media Rettificata (Io): 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 12A Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr): - Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 650V Capacità @ Vr, F: 530pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C	Disponibile7.688

DSEP15-12CR

IXYS

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1.2KV 15A ISOPLUS247

Produttore: IXYS
Serie: HiPerDynFRED™
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 4.04V @ 15A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™
Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C

Disponibile6.491

DSI45-16AR

IXYS

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GP 1.6KV 48A ISOPLUS247

Produttore: IXYS
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 48A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.18V @ 40A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 3mA @ 1600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: ISOPLUS247™
Pacchetto dispositivo fornitore: ISOPLUS247™
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile1

VS-12F20

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.26V @ 38A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 12mA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AA
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile659

FFP08S60SNTU

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L

Produttore: ON Semiconductor
Serie: STEALTH™ II
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.4V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 32ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2L
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile368

VS-300U40A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 300A DO205AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 300A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 942A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 40mA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-205AB, DO-9, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-205AB, DO-9
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 200°C

Disponibile230

UES1303

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 925mV @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: B, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile79

VS-70HFR120

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 70A DO203AB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: -
Tipo di diodo: Standard, Reverse Polarity
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 70A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 220A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 9mA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis, Stud Mount
Pacchetto / Custodia: DO-203AB, DO-5, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-203AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 180°C

Disponibile54

MBR40250G

ON Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220-2

Produttore: ON Semiconductor
Serie: SWITCHMODE™
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 250V
Corrente - Media Rettificata (Io): 40A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 40A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 30µA @ 250V
Capacità @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 150°C

Disponibile591

MEO450-12DA

IXYS

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 453A Y4-M6

Produttore: IXYS
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 453A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.96V @ 520A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 500ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 24mA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Chassis Mount
Pacchetto / Custodia: Y4-M6
Pacchetto dispositivo fornitore: Y4-M6
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 150°C

Disponibile1.804

JANS1N5809

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/477
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 100V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 30ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: B, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile1.894

JANS1N5806

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/477
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 150V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 25ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 150V
Capacità @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: A, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile354

JANTX1N4153-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 50V 150MA DO204AH

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: -
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 50V
Corrente - Media Rettificata (Io): 150mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 20mA
Velocità: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr): 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50nA @ 50V
Capacità @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile1.929

JAN1N5420

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/411
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 400ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: B, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: B, Axial
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile289

JANTX1N6638

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 125V 300MA D5B

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/578
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 125V
Corrente - Media Rettificata (Io): 300mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 20ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 500nA @ 125V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: D, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile909

JANTX1N5819-1

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/586
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 45V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 100µA @ 45V
Capacità @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: DO-204AL, DO-41, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: DO-204AL (DO-41)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 125°C

Disponibile1.690

SCS215AJHRTLL

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO263AB

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 15A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 300µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 550pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile7.485

JAN1N4942

Microsemi

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Produttore: Microsemi Corporation
Serie: Military, MIL-PRF-19500/359
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: A, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore: -
Temperatura di esercizio - Giunzione: -65°C ~ 175°C

Disponibile5.304

SCS220AJTLL

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO263AB

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 400µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile1.150

STPSC20065GY-TR

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODES AND RECTIFIERS

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 20A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile4.218

SCS212AJHRTLL

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 438pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile4.970

SCS210AJHRTLL

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: Automotive, AEC-Q101
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 200µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 365pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile3.422

VS-HFA08TB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 8A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 8A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 95ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 10µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile88

VS-HFA25TB60SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 600V 25A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 600V
Corrente - Media Rettificata (Io): 25A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 25A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 75ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 20µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile345

VS-80EBU04

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 400V 80A POWIRTAB

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: FRED Pt®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 400V
Corrente - Media Rettificata (Io): 80A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 80A
Velocità: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 400V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: PowerTab™, PowIRtab™
Pacchetto dispositivo fornitore: PowIRtab™
Temperatura di esercizio - Giunzione: -

Disponibile301

NXPSC10650Q

WeEn Semiconductors

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC

Produttore: WeEn Semiconductors
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 10A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 250µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile475

VS-HFA06TB120SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Raddrizzatori - Singoli

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division
Serie: HEXFRED®
Tipo di diodo: Standard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 1200V
Corrente - Media Rettificata (Io): 6A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 3V @ 6A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 80ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 5µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 150°C

Disponibile6.439

SCS212AJTLL

Rohm Semiconductor

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB

Produttore: Rohm Semiconductor
Serie: -
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 240µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB
Temperatura di esercizio - Giunzione: 175°C (Max)

Disponibile951

STPSC12065G2Y-TR

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 150µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK HV
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile1.734

STPSC12065GY-TR

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODES AND RECTIFIERS

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Tipo di diodo: Silicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 12A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile248

STPSC12C065DY

STMicroelectronics

Raddrizzatori - Singoli

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC

Produttore: STMicroelectronics
Serie: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
Tipo di diodo: Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max): 650V
Corrente - Media Rettificata (Io): 12A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 12A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): -
Corrente - Perdita inversa @ Vr: 120µA @ 650V
Capacità @ Vr, F: 530pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Through Hole
Pacchetto / Custodia: TO-220-2
Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AC
Temperatura di esercizio - Giunzione: -40°C ~ 175°C

Disponibile7.688

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