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VS-123NQ100PBF

VS-123NQ100PBF

Solo per riferimento

Numero parte VS-123NQ100PBF
PNEDA Part # VS-123NQ100PBF
Descrizione DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Prezzo unitario
1 ---------- $404,3295
50 ---------- $385,3765
100 ---------- $366,4236
200 ---------- $347,4706
400 ---------- $331,6765
500 ---------- $315,8824
Disponibile 1.277
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

VS-123NQ100PBF Risorse

Brand Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteVS-123NQ100PBF
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
VS-123NQ100PBF, VS-123NQ100PBF Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 136,41 KB)
PDFVS-123NQ100PBF Datasheet Copertura
VS-123NQ100PBF Datasheet Pagina 2 VS-123NQ100PBF Datasheet Pagina 3 VS-123NQ100PBF Datasheet Pagina 4 VS-123NQ100PBF Datasheet Pagina 5 VS-123NQ100PBF Datasheet Pagina 6

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VS-123NQ100PBF Specifiche

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)100V
Corrente - Media Rettificata (Io)120A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If910mV @ 120A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr3mA @ 100V
Capacità @ Vr, F2650pF @ 5V, 1MHz
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaD-67 HALF-PAK
Pacchetto dispositivo fornitoreD-67
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

104A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

20mA @ 1800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

BG-PB20-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 135°C

RSFML RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

500mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

500ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MUR160-AP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 40V

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

60ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-41

Temperatura di esercizio - Giunzione

-50°C ~ 150°C

SS35-1HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MBR1650HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

16A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 16A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

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