Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF9362TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile30.876
IRF9389PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.892
IRF9389TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.8A, 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 398pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile578.226
IRF9395MTR1PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MC Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MC	Disponibile4.356
IRF9395MTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V Potenza - Max: 2.1W Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: DirectFET™ Isometric MC Pacchetto dispositivo fornitore: DIRECTFET™ MC	Disponibile3.924
IRF9910 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.762
IRF9910PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.672
IRF9910TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.622
IRF9910TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.374
IRF9952 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.988
IRF9952PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.758
IRF9952QTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.370
IRF9952TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.614
IRF9952TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile33.402
IRF9953 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile629
IRF9953PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.334
IRF9953TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile10.503
IRF9953TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.598
IRF9956 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.520
IRF9956PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.176
IRF9956TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.330
IRF9956TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.266
IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: FASTIRFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A, 188A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Potenza - Max: 31W, 63W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile3.582
IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A, 145A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Potenza - Max: 31W, 50W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile28.980
IRFH4255DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 64A, 105A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Potenza - Max: 31W, 38W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile4.392
IRFH4257DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Potenza - Max: 25W, 28W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: Dual PQFN (5x4)	Disponibile8.226
IRFH7911TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Potenza - Max: 2.4W, 3.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 18-PowerVQFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile4.734
IRFH7911TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V Potenza - Max: 2.4W, 3.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 18-PowerVQFN Pacchetto dispositivo fornitore: PQFN (5x6)	Disponibile3.384
IRFHE4250DTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: FASTIRFET™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 86A, 303A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V Potenza - Max: 156W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 32-PowerWFQFN Pacchetto dispositivo fornitore: 32-PQFN (6x6)	Disponibile8.910
IRFHM792TR2PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 251pF @ 25V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33	Disponibile3.492

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