Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF7530PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile4.734
IRF7530TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile5.652
IRF7530TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1310pF @ 15V Potenza - Max: 1.3W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile158.448
IRF7555TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile7.092
IRF7555TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1066pF @ 10V Potenza - Max: 1.25W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: Micro8™	Disponibile5.994
IRF7750 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile3.366
IRF7750GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.138
IRF7750TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile3.096
IRF7750TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.984
IRF7751 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.436
IRF7751GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile4.230
IRF7751TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.706
IRF7751TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1464pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.964
IRF7752 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.946
IRF7752GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile7.416
IRF7752TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.544
IRF7752TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 861pF @ 25V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.328
IRF7754 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile109
IRF7754GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.460
IRF7754TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.892
IRF7754TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1984pF @ 6V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile4
IRF7755 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile2.574
IRF7755GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.118
IRF7755TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile3.400
IRF7755TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 15V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile4.608
IRF7756 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.318
IRF7756GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.604
IRF7756TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile5.904
IRF7756TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile7.776
IRF7757TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8 Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile6.156

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