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IRF7752TRPBF

IRF7752TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF7752TRPBF
PNEDA Part # IRF7752TRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8TSSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.328
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7752TRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7752TRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7752TRPBF, IRF7752TRPBF Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 228,72 KB)
PDFIRF7752TRPBF Datasheet Copertura
IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 2 IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 3 IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 4 IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 5 IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 6 IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 7 IRF7752TRPBF Datasheet Pagina 8

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  • IRF7752TRPBF Distributor

IRF7752TRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds861pF @ 25V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

650mA, 450mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 15V

Potenza - Max

310mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

4.8W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

15-SIP

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 28µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

Potenza - Max

65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount, Wettable Flank

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 10V

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Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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