Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRF7757TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1340pF @ 15V Potenza - Max: 1.2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile2.988
IRF7901D1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: FETKY™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.208
IRF7901D1TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: FETKY™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile8.694
IRF7901D1TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: FETKY™ Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 16V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile2.628
IRF7902PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Potenza - Max: 1.4W, 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.534
IRF7902TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.4A, 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 6.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 15V Potenza - Max: 1.4W, 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.320
IRF7904PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Potenza - Max: 1.4W, 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile25.122
IRF7904TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V Potenza - Max: 1.4W, 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.110
IRF7904TRPBF-1 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.776
IRF7905PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile226
IRF7905TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 7.8A/8.9A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A, 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.8mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.704
IRF7907PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.384
IRF7907TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 9.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.624
IRF7910PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile262
IRF7910TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1730pF @ 6V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile4.698
IRF8313PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.834
IRF8313TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile93.444
IRF8513PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W, 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.264
IRF8513TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A, 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Potenza - Max: 1.5W, 2.4W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile5.724
IRF8852TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1151pF @ 20V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile8.658
IRF8910GPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile6.984
IRF8910GTRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.740
IRF8910PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.582
IRF8910TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.470
IRF8915 Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile378
IRF8915TR Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile7.884
IRF8915TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile27.822
IRF9358PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.744
IRF9358TRPBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile73.791
IRF9362PBF Infineon Technologies	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC Produttore: Infineon Technologies Serie: HEXFET® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SO	Disponibile3.762

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