IRF9953TR
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Numero parte | IRF9953TR | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | IRF9953TR | ||||||||||||||||||
Descrizione | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | ||||||||||||||||||
Produttore | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 10.503 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | dic 21 - dic 26 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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IRF9953TR Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRF9953TR |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
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IRF9953TR Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Funzione FET | Logic Level Gate |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 15V |
Potenza - Max | 2W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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