Circuiti integrati di memoria

Numero parte	Descrizione	Disponibile
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile6.642
MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile3.598
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)	Disponibile6.606
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)	Disponibile6.678
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)	Disponibile2.970
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile5.706
MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile4.716
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile6.318
MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile7.002
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)	Disponibile5.526
MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 208MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)	Disponibile7.848
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile6.426
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: * Tipo di memoria: - Formato memoria: - Tecnologia: - Dimensione della memoria: - Interfaccia di memoria: - Frequenza di clock: - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile3.690
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile6.462
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile4.068
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile5.292
MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)	Disponibile8.532
MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (256M x 16)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.526
MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile4.464
MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile2.664
MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.298
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile8.028
MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile2.934
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile2.970
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile7.236
MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)	Disponibile2.700
MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.740
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile3.312
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile2.988
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Micron Technology Inc.	Memoria IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA Produttore: Micron Technology Inc. Serie: - Tipo di memoria: Non-Volatile Formato memoria: FLASH, RAM Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria: Parallel Frequenza di clock: 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: - Tempo di accesso: - Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)	Disponibile8.568

MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile6.642

MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile3.598

MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

Disponibile6.606

MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

Disponibile6.678

MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

Disponibile2.970

MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile5.706

MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile4.716

MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile6.318

MT29C4G48MAZBAAKS-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile7.002

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

Disponibile5.526

MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 208MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-WFBGA (12x12)

Disponibile7.848

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile6.426

MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: *
Tipo di memoria: -
Formato memoria: -
Tecnologia: -
Dimensione della memoria: -
Interfaccia di memoria: -
Frequenza di clock: -
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: -
Temperatura di esercizio: -
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile3.690

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile6.462

MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile4.068

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile5.292

MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-VFBGA (13x10.5)

Disponibile8.532

MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (256M x 16)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile3.526

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile4.464

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile2.664

MT29C4G96MAYAPCMJ-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile8.298

MT29C4G96MAYBACJG-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile8.028

MT29C4G96MAYBACJG-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile2.934

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile2.970

MT29C4G96MAYBACKD-5 WT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile7.236

MT29C4G96MAZAPCJA-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 137-TFBGA (10.5x13)

Disponibile2.700

MT29C4G96MAZAPCMJ-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: -
Pacchetto / Custodia: -
Pacchetto dispositivo fornitore: -

Disponibile7.740

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile3.312

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile2.988

MT29C4G96MAZBACJG-5 WT

Micron Technology Inc.

Memoria

IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA

Produttore: Micron Technology Inc.
Serie: -
Tipo di memoria: Non-Volatile
Formato memoria: FLASH, RAM
Tecnologia: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoria: Parallel
Frequenza di clock: 200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina: -
Tempo di accesso: -
Tensione - Alimentazione: 1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio: -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Pacchetto / Custodia: 168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore: 168-VFBGA (12x12)

Disponibile8.568

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