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MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR

Solo per riferimento

Numero parte MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR
PNEDA Part # MT29C4G96MAZBACJG-5-IT-TR
Descrizione IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.988
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR, MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR Datasheet (Totale pagine: 220, Dimensioni: 1.952,51 KB)
PDFMT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Copertura
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 2 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 3 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 4 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 5 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 6 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 7 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 8 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 9 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 10 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 11

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MT29C4G96MAZBACJG-5 IT TR Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-VFBGA (12x12)

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

MT41K128M16JT-107:K

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

2Gb (128M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

933MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (8x14)

JS28F256M29EWHD

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

110ns

Tempo di accesso

110ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

56-TSOP

IS61WV25616BLL-10TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.4V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

24LC014-I/SN

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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