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MT29C4G96MAZBACJG-5 WT

MT29C4G96MAZBACJG-5 WT

Solo per riferimento

Numero parte MT29C4G96MAZBACJG-5 WT
PNEDA Part # MT29C4G96MAZBACJG-5-WT
Descrizione IC FLASH RAM 4G PARAL 168VFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.568
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29C4G96MAZBACJG-5 WT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29C4G96MAZBACJG-5 WT, MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Datasheet (Totale pagine: 220, Dimensioni: 1.952,51 KB)
PDFMT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Copertura
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 2 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 3 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 4 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 5 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 6 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 7 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 8 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 9 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 10 MT29C8G96MAZBADJV-5 WT Datasheet Pagina 11

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MT29C4G96MAZBACJG-5 WT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-25°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia168-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore168-VFBGA (12x12)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FRAM

Tecnologia

FRAM (Ferroelectric RAM)

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

N25Q128A13E1240F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (32M x 4)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

108MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

8ms, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

24-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

24-T-PBGA (6x8)

CY7C11481KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II+

Dimensione della memoria

18Mb (1M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

25AA160D-I/S16K

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

10MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

Die

Pacchetto dispositivo fornitore

Die

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - UV

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

28-CDIP

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