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MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT

Solo per riferimento

Numero parte MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT
PNEDA Part # MT29C4G96MAYAPCJA-5-IT
Descrizione IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 9 - nov 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMT29C4G96MAYAPCJA-5 IT
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT, MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT Datasheet (Totale pagine: 15, Dimensioni: 421,23 KB)
PDFMT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Copertura
MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 2 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 3 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 4 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 5 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 6 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 7 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 8 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 9 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 10 MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datasheet Pagina 11

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MT29C4G96MAYAPCJA-5 IT Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH, RAM
TecnologiaFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Dimensione della memoria4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia137-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore137-TFBGA (10.5x13)

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Winbond Electronics

Produttore

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI, DTR

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

S25FL128SAGMFIR00

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

128Mb (16M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-SOIC

7005L35J8

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

68-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

68-PLCC (24.21x24.21)

AT24C02-10PI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

TC58NYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

Produttore

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND (SLC)

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

63-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

63-TFBGA (9x11)

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