Qimonda Memoria

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CategoriaSemiconduttori / Circuiti integrati di memoria / Memoria

ProduttoreQimonda

Record 4

Pagina 1/1

Numero parte	Produttore	Descrizione	Disponibile	Serie	Tipo di memoria	Formato memoria	Tecnologia	Dimensione della memoria	Interfaccia di memoria	Frequenza di clock	Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina	Tempo di accesso	Tensione - Alimentazione	Temperatura di esercizio	Tipo di montaggio	Pacchetto / Custodia	Pacchetto dispositivo fornitore
HYB25D512800CE-5	Qimonda	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	14.364	-	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	512Mb (64M x 8)	Parallel	200MHz	-	-	2.3V ~ 2.7V	0°C ~ 70°C (TA)	Surface Mount	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
HYB25D512800CE-6	Qimonda	IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II	16.236	-	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	512Mb (64M x 8)	Parallel	166MHz	-	-	2.3V ~ 2.7V	0°C ~ 70°C (TA)	Surface Mount	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II
HYB18T1G800BF-3S	Qimonda	IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA	7.992	-	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR2	1Gb (128M x 8)	Parallel	333MHz	-	-	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C (TC)	Surface Mount	68-TFBGA	68-TFBGA (17x10)
HYB25D128800CE-6	Qimonda	IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II	3.168	-	Volatile	DRAM	SDRAM - DDR	128Mb (16M x 8)	Parallel	166MHz	-	-	2.3V ~ 2.7V	0°C ~ 70°C (TA)	Surface Mount	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)	66-TSOP II

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