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HYB18T1G800BF-3S

HYB18T1G800BF-3S

Solo per riferimento

Numero parte HYB18T1G800BF-3S
PNEDA Part # HYB18T1G800BF-3S
Descrizione IC DRAM 1G PARALLEL 68TFBGA
Produttore Qimonda
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.992
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HYB18T1G800BF-3S Risorse

Brand Qimonda
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHYB18T1G800BF-3S
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
HYB18T1G800BF-3S, HYB18T1G800BF-3S Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 4.026,67 KB)
PDFHYB18T1G800BF-3S Datasheet Copertura
HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 2 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 3 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 4 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 5 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 6 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 7 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 8 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 9 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 10 HYB18T1G800BF-3S Datasheet Pagina 11

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HYB18T1G800BF-3S Specifiche

ProduttoreQimonda
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaDRAM
TecnologiaSDRAM - DDR2
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock333MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 1.9V
Temperatura di esercizio0°C ~ 95°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia68-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore68-TFBGA (17x10)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5µs, 5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AS6C3216A-55BINTR

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

55ns

Tempo di accesso

55ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TFBGA (8x10)

AK6480AM

AKM Semiconductor Inc.

Produttore

AKM Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (512 x 16)

Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SSOP

M36W0R6050U4ZSE

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3

Dimensione della memoria

4Gb (256M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.425V ~ 1.575V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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