HYB25D512800CE-6
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| Numero parte | HYB25D512800CE-6 |
| PNEDA Part # | HYB25D512800CE-6 |
| Descrizione | IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II |
| Produttore | Qimonda |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 16.236 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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HYB25D512800CE-6 Risorse
| Brand | Qimonda |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HYB25D512800CE-6 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
HYB25D512800CE-6, HYB25D512800CE-6 Datasheet
(Totale pagine: 42, Dimensioni: 2.502,39 KB)
  
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HYB25D512800CE-6 Specifiche
| Produttore | Qimonda |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | 166MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.3V ~ 2.7V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP II |
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