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Transistor

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Disponibile
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AON2403
AON2403

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 8A DFN2X2B

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile91.272
AON2405
AON2405

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile2.700
AON2406
AON2406

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile24.528
AON2407
AON2407

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6.3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 6.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 746pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile8.514
AON2408
AON2408

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N CH 20V 8A DFN 2x2B

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 782pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile4.572
AON2409
AON2409

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 8A 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile5.058
AON2410
AON2410

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N CH 30V 8A DFN 2x2B

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 813pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile3.654
AON2411
AON2411

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 20A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN
Disponibile7.560
AON2420
AON2420

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 8A 6LDFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 552pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-UDFN Exposed Pad
Disponibile8.028
AON2701
AON2701

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Isolated)
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile6.498
AON2701_001
AON2701_001

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH W/DIODE DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile6.642
AON2701L#A
AON2701L#A

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 20V 3A 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 10V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Isolated)
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile7.020
AON2705
AON2705

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 108mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Body)
  • Dissipazione di potenza (max): 1.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile6.408
AON2705_001
AON2705_001

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH W/DIO 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile3.472
AON2707
AON2707

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 4A DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Isolated)
  • Dissipazione di potenza (max): 2.8W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN-EP (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile4.536
AON2707_001
AON2707_001

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH W/DIO 6DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: *
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-DFN (2x2)
  • Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad
Disponibile6.858
AON3402
AON3402

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 12.6A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 12A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±12V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 10V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (2.9x2.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile2.520
AON3414
AON3414

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET NCH 30V 10.5A DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10.5A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (2.9x2.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile42.060
AON3419
AON3419

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 10A DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 3.1W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (2.9x2.3)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile8.100
AON3825_001
AON3825_001

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile3.510
AON4407
AON4407

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile5.760
AON4407_003
AON4407_003

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile4.878
AON4407L
AON4407L

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile2.646
AON4407L_002
AON4407L_002

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile6.660
AON4407L_003
AON4407L_003

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 12V 9A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 12V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 6V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile2.934
AON4420
AON4420

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: N-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 1.6W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile3.546
AON4421
AON4421

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile2.376
AON4421_001
AON4421_001

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 30V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (massimo): ±20V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1120pF @ 15V
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile4.032
AON4605_002
AON4605_002

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET N/P-CH 30V DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: -
  • Tecnologia: -
  • Tensione Drain to Source (Vdss): -
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: -
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (massimo): -
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • Funzione FET: -
  • Dissipazione di potenza (max): -
  • Temperatura di esercizio: -
  • Tipo di montaggio: -
  • Pacchetto dispositivo fornitore: -
  • Pacchetto / Custodia: -
Disponibile4.860
AON4703
AON4703

Alpha & Omega Semiconductor

Transistor - FET, MOSFET - Singolo

MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN

  • Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • Tipo FET: P-Channel
  • Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
  • Tensione Drain to Source (Vdss): 20V
  • Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta)
  • Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V
  • Vgs (massimo): ±8V
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
  • Funzione FET: Schottky Diode (Isolated)
  • Dissipazione di potenza (max): 1.7W (Ta)
  • Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (3x2)
  • Pacchetto / Custodia: 8-SMD, Flat Lead
Disponibile7.002