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AON3402

AON3402

Solo per riferimento

Numero parte AON3402
PNEDA Part # AON3402
Descrizione MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AON3402 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAON3402
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
AON3402, AON3402 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 106,46 KB)
PDFAON3402 Datasheet Copertura
AON3402 Datasheet Pagina 2 AON3402 Datasheet Pagina 3 AON3402 Datasheet Pagina 4

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AON3402 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12.6A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.9nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1810pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.1W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-DFN (2.9x2.3)
Pacchetto / Custodia8-SMD, Flat Lead

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

36W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI2310-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

247pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

210A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 105A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

255nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18600pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1500W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PLUS264™

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

FDD5612

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.8W (Ta), 42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-3

Pacchetto / Custodia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

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-

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-

Pacchetto / Custodia

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