Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
Transistor - IGBT - Array (18)
Transistor - IGBT - Moduli (2.367)
Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
Transistor - JFET (664)
Transistor - Unijunction programmabile (26)
Transistor - Scopo speciale (162)

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
AON6370P Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 23A DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.816
AON6372 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 26W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile4.536
AON6380 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile3.418
AON6382 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3100pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 50W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile2.088
AON6384 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 36W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile3.474
AON6400 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8300pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile8.568
AON6400L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: * Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile3.654
AON6400L_002 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 8300pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile2.826
AON6403 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9120pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile295.554
AON6403L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9120pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.070
AON6403L_APP Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9120pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile3.780
AON6404 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.1W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile6.174
AON6404A Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5210pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile4.140
AON6404A_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5210pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile4.356
AON6405 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 15A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile2.952
AON6405L_102 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.5W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.244
AON6406 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 170A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 110W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile2.052
AON6407 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 32A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 3505pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 7.3W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile533.982
AON6408L Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14.5A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 25A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile3.472
AON6410 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 24A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1452pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 35W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile4.338
AON6411 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10290pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 7.3W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile49.392
AON6411_001 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 20V 47A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 47A (Ta), 85A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10290pF @ 10V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 7.3W (Ta), 156W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile8.766
AON6413 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile8.046
AON6413_101 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET P-CH 30V 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: P-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 32A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (massimo): ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2142pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6.2W (Ta), 48W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN-EP (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerVDFN	Disponibile8.388
AON6414A Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 5X6DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile25.770
AON6414AL Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1380pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-VDFN Exposed Pad	Disponibile4.482
AON6414G Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: - Tecnologia: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (massimo): - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto dispositivo fornitore: - Pacchetto / Custodia: -	Disponibile8.406
AON6416 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 22A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1430pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2.4W (Ta), 31W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile3.762
AON6418 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 14A SDMOS 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: SDMOS™ Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 36A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (massimo): ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1229pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 6W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile2.628
AON6424 Alpha & Omega Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Singolo MOSFET N-CH 30V 11A 8DFN Produttore: Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie: - Tipo FET: N-Channel Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 41A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (massimo): ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V Funzione FET: - Dissipazione di potenza (max): 2W (Ta), 25W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (5x6) Pacchetto / Custodia: 8-PowerSMD, Flat Leads	Disponibile3.744

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