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Numero parte	Descrizione	Disponibile
UPA2381T1P-E1-A#YW Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.568
UPA2383T1P-E1-A#YW Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.194
UPA2384T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL LGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.392
UPA2385T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH Produttore: Renesas Electronics America Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.562
UPA2386T1P-E1-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL LGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.248
UPA2390T1P-E4-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL LGA Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.706
UPA2660T1R-E2-AX Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)	Disponibile4.428
UPA2670T1R-E2-AX Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 473pF @ 10V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)	Disponibile4.968
UPA2672T1R-E2-AX Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)	Disponibile6.966
UPA2690T1R-E2-AX Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Complementary Funzione FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 10V Potenza - Max: 2.3W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 6-HUSON (2x2)	Disponibile3.330
UPA3753GR-E1-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V Potenza - Max: 1.12W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP	Disponibile3.438
UPA672CT-T1-AT Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH SC-88 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 20pF @ 10V Potenza - Max: 200mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-88	Disponibile4.770
UPA672T-T1-A Renesas Electronics America	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 50V 0.1A SC-88 Produttore: Renesas Electronics America Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 50V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 100mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 3V Potenza - Max: 200mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-SuperMiniMold	Disponibile7.848
US5K3TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT5	Disponibile4.500
US6J11TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 6V Potenza - Max: 320mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile8.244
US6J12TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 1.5V DRIVE PCH+PCH MOSFET. US6J1 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 6V Potenza - Max: 910mW (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile7.020
US6J2TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile23.376
US6K1TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile2.178
US6K2TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile26.904
US6K4TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile6.192
US6M11TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V, 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile8.460
US6M1TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile4.302
US6M2GTR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V, 150pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile73
US6M2TR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6 Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: N and P-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V, 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.5A, 1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 10V Potenza - Max: 1W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore: TUMT6	Disponibile282.840
USB10H ON Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6 Produttore: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 1.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V Potenza - Max: 700mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: SuperSOT™-6	Disponibile2.754
UT6J3TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array -20V PCH+PCH POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile27.534
UT6JA2TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array -30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile58.284
UT6JA3TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Potenza - Max: 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile6.354
UT6K30TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V Potenza - Max: 2W (Ta) Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile25.878
UT6K3TCR Rohm Semiconductor	Transistor - FET, MOSFET - Array 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET Produttore: Rohm Semiconductor Serie: - Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V Potenza - Max: 2W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-PowerUDFN Pacchetto dispositivo fornitore: HUML2020L8	Disponibile107.226

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