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UT6J3TCR

UT6J3TCR

Solo per riferimento

Numero parte UT6J3TCR
PNEDA Part # UT6J3TCR
Descrizione -20V PCH+PCH POWER MOSFET
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 27.534
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UT6J3TCR Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUT6J3TCR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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UT6J3TCR Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 10V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-PowerUDFN
Pacchetto dispositivo fornitoreHUML2020L8

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Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

445pF @ 15V

Potenza - Max

2.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 10V

Potenza - Max

3.1W

Temperatura di esercizio

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

DF11MR12W1M1B11BPSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.5mOhm @ 50A, 15V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 800V

Potenza - Max

20mW

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

AG-EASY1BM-2

SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

PowerPAIR®, TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Tc), 30A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 15V, 650pF @ 15V

Potenza - Max

16W, 16.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

*

Tipo FET

-

Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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