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UPA2672T1R-E2-AX

UPA2672T1R-E2-AX

Solo per riferimento

Numero parte UPA2672T1R-E2-AX
PNEDA Part # UPA2672T1R-E2-AX
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON
Produttore Renesas Electronics America
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.966
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 19 - apr 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

UPA2672T1R-E2-AX Risorse

Brand Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteUPA2672T1R-E2-AX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
UPA2672T1R-E2-AX, UPA2672T1R-E2-AX Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 239,55 KB)
PDFUPA2672T1R-E2-AX Datasheet Copertura
UPA2672T1R-E2-AX Datasheet Pagina 2 UPA2672T1R-E2-AX Datasheet Pagina 3 UPA2672T1R-E2-AX Datasheet Pagina 4 UPA2672T1R-E2-AX Datasheet Pagina 5 UPA2672T1R-E2-AX Datasheet Pagina 6 UPA2672T1R-E2-AX Datasheet Pagina 7

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UPA2672T1R-E2-AX Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America
Serie-
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate, 1.8V Drive
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds486pF @ 10V
Potenza - Max2.3W
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore6-HUSON (2x2)

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

48mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

780pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 15V

Potenza - Max

4.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

78.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

Potenza - Max

72W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

360pF @ 50V

Potenza - Max

2.4W, 3.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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