Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
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Transistor - FET, MOSFET - Singolo (29.970)
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Transistor - IGBT - Singolo (3.305)
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Numero parte	Descrizione	Disponibile
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 16A, 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V Potenza - Max: 29W, 100W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile1.585
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V Potenza - Max: 39W, 100W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile4.968
SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V Potenza - Max: 20.2W, 40W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile23.052
SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V Potenza - Max: 20W, 66W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair®	Disponibile1.400
SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V Potenza - Max: 20.2W, 40W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair®	Disponibile21.612
SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V Potenza - Max: 20.2W, 32.9W Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair®	Disponibile58.914
SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V Potenza - Max: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile3.400
SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CHAN 30V Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Potenza - Max: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile2.826
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V Potenza - Max: 38W (Tc), 83W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TA) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile418
SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET N-CH DUAL 30V Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V Potenza - Max: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile26.832
SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 Produttore: Vishay Siliconix Serie: * Tipo FET: - Funzione FET: - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.932
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 Produttore: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen IV Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Potenza - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-PowerWDFN Pacchetto dispositivo fornitore: 8-PowerPair® (6x5)	Disponibile2.700
SLA5037 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 1630pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile6.408
SLA5041 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile8.568
SLA5059 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile6.912
SLA5060 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile17.796
SLA5061 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A, 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile2.354
SLA5064 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile15.174
SLA5065 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Potenza - Max: 4.8W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile18.336
SLA5065 LF830 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Potenza - Max: 4.8W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 15-SIP	Disponibile4.482
SLA5068-LF830 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile18.420
SLA5068 LF853 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 15-SIP	Disponibile6.408
SLA5073 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile8.148
SLA5074 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 4N-CH 60V 5A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 4 N-Channel (Half Bridge) Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 4.8W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile15.228
SLA5075 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile4.878
SLA5085 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 5 N-Channel, Common Source Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile17.952
SLA5086 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 5 P-Channel, Common Source Funzione FET: Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss): 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 10V Potenza - Max: 5W Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 12-SIP Pacchetto dispositivo fornitore: 12-SIP w/fin	Disponibile20.232
SLA5096 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 55V 8A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 55V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile6.102
SLA5201 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile1.112
SLA5212 Sanken	Transistor - FET, MOSFET - Array MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP Produttore: Sanken Serie: - Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) Funzione FET: Standard Tensione Drain to Source (Vdss): 35V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads Pacchetto dispositivo fornitore: 15-ZIP	Disponibile6.948

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