SIZF920DT-T1-GE3
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| Numero parte | SIZF920DT-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIZF920DT-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.700 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIZF920DT-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIZF920DT-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIZF920DT-T1-GE3, SIZF920DT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 270,65 KB)
  
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SIZF920DT-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V, 125nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
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