SIZF300DT-T1-GE3
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| Numero parte | SIZF300DT-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SIZF300DT-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.400 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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SIZF300DT-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SIZF300DT-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SIZF300DT-T1-GE3, SIZF300DT-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 259,26 KB)
  
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SIZF300DT-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V, 62nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
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