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AO4882

AO4882

Solo per riferimento

Numero parte AO4882
PNEDA Part # AO4882
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Produttore Alpha & Omega Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 608.802
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AO4882 Risorse

Brand Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAO4882
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AO4882, AO4882 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 343,75 KB)
PDFAO4882 Datasheet Copertura
AO4882 Datasheet Pagina 2 AO4882 Datasheet Pagina 3 AO4882 Datasheet Pagina 4 AO4882 Datasheet Pagina 5

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AO4882 Specifiche

ProduttoreAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds415pF @ 20V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Funzione FET

Silicon Carbide (SiC)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

131A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 5mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4750pF @ 1000V

Potenza - Max

625W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D-3 Module

Pacchetto dispositivo fornitore

D3

FDMA3027PZ

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

87mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

435pF @ 15V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-MicroFET (2x2)

UT6MA2TCR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC, 6.7nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

180pF, 305pF @ 15V

Potenza - Max

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerUDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

HUML2020L8

CSD87335Q3DT

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 15V

Potenza - Max

6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerLDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-LSON (3.3x3.3)

AONX38168

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

XSPairFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC, 85nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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Potenza - Max

3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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RES 0.005 OHM 1% 5W 2818