Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
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Record 64.903

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Numero parte	Descrizione	Disponibile
PIMC31F Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PIMC31/SOT457/SC-74 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 420mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile86.988
PIMD2,115 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 600mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile5.346
PIMD2,125 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 600mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile4.716
PIMD3,115 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.6W 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 600mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile764.928
PIMD3F Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PIMD3/SOT457/SC-74 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile7.488
PIMH9,115 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.6W 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 600mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile5.994
PIMN31,115 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS 2NPN PREBIAS 0.42W 6TSOP Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 420mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457 Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP	Disponibile119.946
PQMB11Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS PNP/PNP RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 PNP Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 180MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile8.802
PQMD10Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile8.802
PQMD12Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.35W 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 350mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile3.096
PQMD13Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 350mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile6.390
PQMD16Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 350mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile7.560
PQMD2Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile4.392
PQMD3Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/PNP RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz, 180MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile7.668
PQMH10Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/NPN RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 350mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile5.094
PQMH11Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/NPN RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile7.722
PQMH13Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/NPN RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile2.088
PQMH2Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/NPN RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile2.538
PQMH9Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati TRANS NPN/NPN RET 6DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 230mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010B-6	Disponibile6.408
PRMB11Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMB11/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA Frequenza - Transizione: 180MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile5.130
PRMD10Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMD10/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile46.260
PRMD12Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMD12/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile52.992
PRMD13Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMD13/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile45.426
PRMD16Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMD16/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile44.994
PRMD2Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMD2/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile2.196
PRMD3Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMD3/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile45.966
PRMH10Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMH10/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile51.582
PRMH11Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMH11/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile5.814
PRMH13Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMH13/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile3.456
PRMH2Z Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati PRMH2/SOT1268/DFN1412-6 Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA Frequenza - Transizione: 230MHz Potenza - Max: 480mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 6-XFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1412-6	Disponibile39.834

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