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Transistor

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Disponibile
Quantità
PEMB16,115
PEMB16,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.572
PEMB17,115
PEMB17,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.876
PEMB18,115
PEMB18,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.606
PEMB19,115
PEMB19,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile5.328
PEMB20,115
PEMB20,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile2.016
PEMB2,115
PEMB2,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.338
PEMB24,115
PEMB24,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.200
PEMB30,115
PEMB30,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile5.256
PEMB30,315
PEMB30,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.068
PEMB3,115
PEMB3,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.744
PEMB4,115
PEMB4,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.708
PEMB9,115
PEMB9,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile8.262
PEMB9,315
PEMB9,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.276
PEMD10,115
PEMD10,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.410
PEMD12,115
PEMD12,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.888
PEMD12,315
PEMD12,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.948
PEMD13,115
PEMD13,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile5.004
PEMD14,115
PEMD14,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile8.802
PEMD15,115
PEMD15,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.672
PEMD16,115
PEMD16,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile33.918
PEMD17,115
PEMD17,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.050
PEMD18,115
PEMD18,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile2.502
PEMD19,115
PEMD19,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.074
PEMD20,115
PEMD20,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.030
PEMD2,115
PEMD2,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.470
PEMD2,315
PEMD2,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.302
PEMD24,115
PEMD24,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.446
PEMD30,115
PEMD30,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.092
PEMD30,315
PEMD30,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile2.664
PEMD3,115
PEMD3,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile34.590