Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

Transistor

Record 64.903
Pagina 79/2164
Immagine
Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
PEMD3,315
PEMD3,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile2.880
PEMD4,115
PEMD4,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile35.142
PEMD48,115
PEMD48,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms, 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.246
PEMD6,115
PEMD6,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile5.832
PEMD9,115
PEMD9,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile5.454
PEMD9,315
PEMD9,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.320
PEMF21,115
PEMF21,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA, 500mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V, 12V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 10mA, 2V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 280MHz
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.416
PEMH10,115
PEMH10,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile269.046
PEMH11,115
PEMH11,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile9.960
PEMH1,115
PEMH1,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.488
PEMH11,315
PEMH11,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile2.718
PEMH13,115
PEMH13,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile54.936
PEMH13,315
PEMH13,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.626
PEMH14,115
PEMH14,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile2.088
PEMH15,115
PEMH15,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile302.988
PEMH16,115
PEMH16,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.596
PEMH17,115
PEMH17,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 22kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.570
PEMH18,115
PEMH18,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.222
PEMH19,115
PEMH19,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 22kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.120
PEMH20,115
PEMH20,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile8.244
PEMH2,115
PEMH2,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.164
PEMH2,315
PEMH2,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.078
PEMH24,115
PEMH24,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 100kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 100kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile4.590
PEMH30,115
PEMH30,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.534
PEMH30,315
PEMH30,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 2.2kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.544
PEMH4,115
PEMH4,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile3.204
PEMH7,115
PEMH7,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): -
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile6.606
PEMH9,115
PEMH9,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile34.596
PEMH9,315
PEMH9,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 300mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SOT-563, SOT-666
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-666
Disponibile7.074
PIMC31,115
PIMC31,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati

TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSOP

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 1kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 420mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-74, SOT-457
  • Pacchetto dispositivo fornitore: 6-TSOP
Disponibile1.657.620