Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
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Record 64.903

Pagina 696/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
PDTD113ZK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile4.680
PDTD113ZQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 210MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile6.498
PDTD113ZS,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.668
PDTD113ZT,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile177.264
PDTD113ZTVL Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile90.738
PDTD113ZUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile4.032
PDTD113ZUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile8.820
PDTD114EQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 210MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile3.438
PDTD114ETR Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile3.600
PDTD114ETVL Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile4.068
PDTD114EUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile5.760
PDTD114EUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile6.912
PDTD123EK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile6.210
PDTD123EQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 210MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile7.218
PDTD123ES,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.254
PDTD123ET,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile28.926
PDTD123EUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile4.536
PDTD123EUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 2.2 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile6.498
PDTD123TK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile7.848
PDTD123TS,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.106
PDTD123TT,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile13.440
PDTD123YK,115 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK	Disponibile6.156
PDTD123YQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 210MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile7.830
PDTD123YS,126 NXP	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3 Produttore: NXP USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 500mW Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.560
PDTD123YT,215 Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 250mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile1.214.094
PDTD123YUF Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile5.634
PDTD123YUX Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 300mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70	Disponibile3.024
PDTD143EQAZ Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 3DFN Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 210MHz Potenza - Max: 325mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3	Disponibile5.490
PDTD143ETR Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile2.988
PDTD143ETVL Nexperia	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.425W Produttore: Nexperia USA Inc. Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 225MHz Potenza - Max: 320mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB	Disponibile2.268

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