Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
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Record 64.903

Pagina 699/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
RN1113ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: CST3	Disponibile5.706
RN1113CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 20V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 50mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883 Pacchetto dispositivo fornitore: CST3	Disponibile3.420
RN1113MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile7.002
RN1113(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile26.880
RN1114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile4.374
RN1114(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile8.694
RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile3.186
RN1115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile148.026
RN1116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.318
RN1116MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile2.574
RN1116(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile3.526
RN1117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile7.146
RN1117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile7.542
RN1118MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile5.616
RN1118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416 Pacchetto dispositivo fornitore: SSM	Disponibile2.340
RN1119MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 1 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile8.334
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 100 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile7.938
RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 100 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile4.086
RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 200 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA (ICBO) Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: 150mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore: VESM	Disponibile6.174
RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 4.7 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile261.576
RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile4.464
RN1303,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANSISTOR NPN BRT Q1BSR22KOHM Q Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * Tipo di transistor: - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Resistenza - Base (R1): - Resistenza - Base Emettitore (R2): - Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: - Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Frequenza - Transizione: - Potenza - Max: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.772
RN1303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile2.070
RN1304,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile6.876
RN1305,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 2.2 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile5.994
RN1306,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile7.812
RN1307,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 10 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile6.246
RN1308,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 22 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile58.932
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile3.490
RN1309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V Resistenza - Base (R1): 47 kOhms Resistenza - Base Emettitore (R2): 22 kOhms Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Corrente - Taglio collettore (Max): 500nA Frequenza - Transizione: 250MHz Potenza - Max: 100mW Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323 Pacchetto dispositivo fornitore: USM	Disponibile4.806

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