Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

Transistor

Record 64.903
Pagina 694/2164
Immagine
Numero parte
Descrizione
Disponibile
Quantità
PDTC143XEF,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89
Disponibile2.880
PDTC143XK,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK
Disponibile8.622
PDTC143XM,315
PDTC143XM,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3
Disponibile7.344
PDTC143XMB,315
PDTC143XMB,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3
Disponibile6.948
PDTC143XQAZ
PDTC143XQAZ

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 280mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3
Disponibile2.790
PDTC143XS,126

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
Disponibile2.016
PDTC143XT,215
PDTC143XT,215

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile586.386
PDTC143XTVL
PDTC143XTVL

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

PDTC143XT/SOT23/TO-236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): -
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: -
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile102.096
PDTC143XU,115
PDTC143XU,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
Disponibile25.164
PDTC143XUF
PDTC143XUF

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

PDTC143XU/SOT323/SC-70

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
Disponibile8.712
PDTC143ZE,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 150mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75
Disponibile4.644
PDTC143ZEF,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-89, SOT-490
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-89
Disponibile5.742
PDTC143ZK,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK
Disponibile4.680
PDTC143ZM,315
PDTC143ZM,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3
Disponibile6.714
PDTC143ZMB,315
PDTC143ZMB,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3
Disponibile5.976
PDTC143ZQAZ
PDTC143ZQAZ

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 280mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3
Disponibile3.240
PDTC143ZS,126

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
Disponibile4.896
PDTC143ZT,215
PDTC143ZT,215

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile723.558
PDTC143ZT,235
PDTC143ZT,235

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile1.107.888
PDTC143ZU,115
PDTC143ZU,115

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 4.7 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 200mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-70, SOT-323
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-70
Disponibile1.268.034
PDTC144EE,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 150mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75
Disponibile3.780
PDTC144EE,135

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 150mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-75, SOT-416
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SC-75
Disponibile5.022
PDTC144EK,115

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: SMT3; MPAK
Disponibile8.172
PDTC144EM,315
PDTC144EM,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: SC-101, SOT-883
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-3
Disponibile7.758
PDTC144EMB,315
PDTC144EMB,315

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 3-XFDFN
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006B-3
Disponibile5.346
PDTC144EQAZ
PDTC144EQAZ

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 3DFN

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 280mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: 3-XDFN Exposed Pad
  • Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1010D-3
Disponibile5.580
PDTC144ES,126

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3

  • Produttore: NXP USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 500mW
  • Tipo di montaggio: Through Hole
  • Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3
Disponibile6.570
PDTC144ET,215
PDTC144ET,215

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile274.050
PDTC144ET/DG/B2,21

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS RET TO-236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: Automotive, AEC-Q101
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 10 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 10 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: 230MHz
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile7.092
PDTC144ETVL
PDTC144ETVL

Nexperia

Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato

TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

  • Produttore: Nexperia USA Inc.
  • Serie: -
  • Tipo di transistor: NPN - Pre-Biased
  • Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
  • Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 50V
  • Resistenza - Base (R1): 47 kOhms
  • Resistenza - Base Emettitore (R2): 47 kOhms
  • Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
  • Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
  • Corrente - Taglio collettore (Max): 1µA
  • Frequenza - Transizione: -
  • Potenza - Max: 250mW
  • Tipo di montaggio: Surface Mount
  • Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Pacchetto dispositivo fornitore: TO-236AB
Disponibile77.880