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Pagina 2141/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
2N5461_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.092
2N5461_D74Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.838
2N5461G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.406
2N5461_L99Z ON Semiconductor	Transistor - JFET IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 9mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92 (TO-226)	Disponibile5.976
2N5461RLRA ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.418
2N5461RLRAG ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.448
2N5462 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.416
2N5462_D27Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.482
2N5462G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 135°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.402
2N5545JTX01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile4.194
2N5545JTXL01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile7.128
2N5545JTXV01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile4.914
2N5546JTX01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile8.676
2N5546JTXL01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile4.914
2N5546JTXV01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile6.930
2N5547JTX01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile5.724
2N5547JTXL01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile2.826
2N5547JTXV01 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 50V TO-71 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-71	Disponibile7.812
2N5638 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile588
2N5638_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.016
2N5638RLRA ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile4.698
2N5638RLRAG ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 30 Ohms Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile3.384
2N5639 ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile7.056
2N5639_D26Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.910
2N5639_D75Z ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 350mW Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile8.460
2N5639G ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile2.376
2N5639RLRAG ON Semiconductor	Transistor - JFET JFET N-CH 35V 0.31W TO92 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 35V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 310mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92-3	Disponibile6.876
2N5953 Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET IC FET N-CH TO-92 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 100nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 15V Resistenza - RDS (On): 375 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore: TO-92	Disponibile7.074
2N6660JAN02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET JFET N-CH Produttore: Vishay Siliconix Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.824
2SJ01630RL Panasonic Electronic Components	Transistor - JFET JFET P-CH 20MA 150MW MINI-3 Produttore: Panasonic Electronic Components Serie: - Tipo FET: P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max: 20mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 1.5V @ 10µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 300 Ohms Potenza - Max: 150mW Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore: Mini3-G1	Disponibile2.394

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