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Pagina 2138/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
2N4856JTXV02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET N-CH 40V 50MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile8.172
2N4856UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.166
2N4857 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.348
2N4857JAN02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile3.472
2N4857JTX02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile6.372
2N4857JTXL02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile3.672
2N4857JTXV02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 360MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile3.598
2N4857UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.122
2N4858 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile1.031
2N4858A Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 800mV @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile505
2N4858JAN02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile7.524
2N4858JTVP02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET JFET P-CH Produttore: Vishay Siliconix Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.150
2N4858JTX02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile8.334
2N4858JTXL02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile3.906
2N4858JTXV02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 40V 80MA TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile6.912
2N4858JVP02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET MOSFET JFET P-CH Produttore: Vishay Siliconix Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.058
2N4858UB Microsemi	Transistor - JFET JFET N-CHAN 40V 3SMD Produttore: Microsemi Corporation Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 40V Tensione Drain to Source (Vdss): 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 60 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 3-SMD, No Lead Pacchetto dispositivo fornitore: 3-UB (3.09x2.45)	Disponibile3.078
2N4859 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile6.030
2N4859A Central Semiconductor Corp	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 50MA 360MW TO18 Produttore: Central Semiconductor Corp Serie: - Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: 250pA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 10V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 10V (VGS) Resistenza - RDS (On): 25 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile2.988
2N4859JAN02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile2.736
2N4859JTX02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile5.022
2N4859JTXL02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile2.538
2N4859JTXV02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile4.374
2N4859UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.686
2N4860 Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET: N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS): 30V Tensione Drain to Source (Vdss): 30V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: 6V @ 500pA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On): 40 Ohms Potenza - Max: 360mW Temperatura di esercizio: -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-18	Disponibile8.352
2N4860JAN02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V TO-206 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile8.478
2N4860JTX02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V TO-206 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile6.786
2N4860JTXL02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V TO-206 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile2.088
2N4860JTXV02 Vishay Siliconix	Transistor - JFET JFET N-CH 30V TO-206 Produttore: Vishay Siliconix Serie: - Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore: TO-206AA (TO-18)	Disponibile6.120
2N4860UB Microsemi	Transistor - JFET N CHANNEL JFET Produttore: Microsemi Corporation Serie: * Tipo FET: - Tensione - Guasto (V (BR) GSS): - Tensione Drain to Source (Vdss): - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): - Corrente assorbita (Id) - Max: - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id: - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: - Resistenza - RDS (On): - Potenza - Max: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.322

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