2N5953
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| Numero parte | 2N5953 |
| PNEDA Part # | 2N5953_105 |
| Descrizione | IC FET N-CH TO-92 |
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.074 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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2N5953 Risorse
| Brand | Central Semiconductor Corp |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | 2N5953 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
| Datasheet |
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2N5953 Specifiche
| Produttore | Central Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.5mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 800mV @ 100nA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | 375 Ohms |
| Potenza - Max | 360mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
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Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 20V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 15V Resistenza - RDS (On) 150 Ohms Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.8V @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7pF @ 15V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30µA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore Panasonic Electronic Components Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 107µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max 2mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio -20°C ~ 80°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-723 Pacchetto dispositivo fornitore SSSMini3-F1 |
