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RB751V40T1G

RB751V40T1G RB751V40T1G

Solo per riferimento

Numero parte RB751V40T1G
PNEDA Part # RB751V40T1G
Descrizione DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD323
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.826
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

RB751V40T1G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteRB751V40T1G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
RB751V40T1G, RB751V40T1G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 52,18 KB)
PDFRB751V40T1 Datasheet Copertura
RB751V40T1 Datasheet Pagina 2 RB751V40T1 Datasheet Pagina 3 RB751V40T1 Datasheet Pagina 4

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RB751V40T1G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)30V
Corrente - Media Rettificata (Io)30mA (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If370mV @ 1mA
VelocitàSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr500nA @ 30V
Capacità @ Vr, F2.5pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-323
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 150°C

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

160ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

SWITCHMODE™

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

520V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

95ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 520V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

VS-60EPF10-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

60A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 60A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

480ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC Modified

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

GP10-4002EHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AL, DO-41, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-204AL (DO-41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

80SQ045NG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

Axial

Temperatura di esercizio - Giunzione

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