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Pagina 2068/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRG8CH137K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 150A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 820nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 115ns/570ns Condizione di test: 600V, 150A, 2Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.114
IRG8CH15K10D Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.730
IRG8CH15K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 65nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/170ns Condizione di test: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.574
IRG8CH184K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 200A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 1110nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 135ns/640ns Condizione di test: 600V, 200A, 2Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile8.910
IRG8CH20K10D Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.082
IRG8CH20K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 90nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/170ns Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.862
IRG8CH29K10D Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.370
IRG8CH29K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 160nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/245ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.294
IRG8CH37K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 100A DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 210nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/190ns Condizione di test: 600V, 35A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.712
IRG8CH42K10D Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 40A DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.302
IRG8CH42K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 40A DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 230nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/240ns Condizione di test: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile4.212
IRG8CH50K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 245nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 60ns/285ns Condizione di test: 600V, 50A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.826
IRG8CH76K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 75A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 480nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 80ns/210ns Condizione di test: 600V, 75A, 1.5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.276
IRG8CH97K10F Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 100A DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 600nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 100ns/230ns Condizione di test: 600V, 100A, 1Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.708
IRG8P08N120KD-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 89W Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 45nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/160ns Condizione di test: 600V, 5A, 47Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile5.472
IRG8P08N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 15A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A Potenza - Max: 89W Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 45nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/160ns Condizione di test: 600V, 5A, 47Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 50ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile5.328
IRG8P15N120KD-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 30A 125W TO-247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Potenza - Max: 125W Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 98nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/170ns Condizione di test: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile2.286
IRG8P15N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Potenza - Max: 125W Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 98nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/170ns Condizione di test: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile2.826
IRG8P25N120KD-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Potenza - Max: 180W Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 135nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/170ns Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile2.016
IRG8P25N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 40A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Potenza - Max: 180W Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 135nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/170ns Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile2.502
IRG8P40N120KD-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 305W Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/245ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile7.200
IRG8P40N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Potenza - Max: 305W Switching Energy: 1.6mJ (on), 1.8mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 240nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/245ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 80ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile128
IRG8P45N65UD1-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo G8 650V 45A CO-PAK-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.338
IRG8P45N65UD1PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo G8 650V 45A CO-PAK-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.698
IRG8P50N120KD-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Potenza - Max: 350W Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 315nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/190ns Condizione di test: 600V, 35A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 170ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile2.844
IRG8P50N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Potenza - Max: 350W Switching Energy: 2.3mJ (on), 1.9mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 315nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/190ns Condizione di test: 600V, 35A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 170ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile5.742
IRG8P60N120KD-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Potenza - Max: 420W Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 345nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/240ns Condizione di test: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 210ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AD	Disponibile2.844
IRG8P60N120KDPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Potenza - Max: 420W Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 345nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 40ns/240ns Condizione di test: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 210ns Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247AC	Disponibile3.472
IRG8P75N65UD1-EPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo G8 650V 75A CO-PAK-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.866
IRG8P75N65UD1PBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo G8 650V 75A CO-PAK-247 Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile6.732

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