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Record 64.903

Pagina 2065/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
IRG6I330U-110P Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A Potenza - Max: 43W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 39ns/120ns Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile3.580
IRG6I330U-111P Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A Potenza - Max: 43W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 39ns/120ns Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile4.626
IRG6I330U-168P Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A Potenza - Max: 43W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB	Disponibile6.570
IRG6I330UPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 28A Potenza - Max: 43W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 86nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 39ns/120ns Condizione di test: 196V, 25A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Full-Pak	Disponibile2.034
IRG6IC30U-110P Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 28A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.38V @ 15V, 120A Potenza - Max: 43W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Full-Pak	Disponibile3.204
IRG6IC30UPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 25A 37W TO220ABFP Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.88V @ 15V, 120A Potenza - Max: 37W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 79nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 20ns/160ns Condizione di test: 400V, 25A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-220-3 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220AB Full-Pak	Disponibile3.508
IRG6S320UPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 50A 114W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A Potenza - Max: 114W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 46nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 24ns/89ns Condizione di test: 196V, 12A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile4.464
IRG6S320UTRLPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 50A 114W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A Potenza - Max: 114W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 46nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 24ns/89ns Condizione di test: 196V, 12A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile4.842
IRG6S320UTRRPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 50A 114W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 24A Potenza - Max: 114W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 46nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 24ns/89ns Condizione di test: 196V, 12A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile5.382
IRG6S330UPBF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 330V 70A 160W D2PAK Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 330V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 70A Potenza - Max: 160W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 86nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 39ns/120ns Condizione di test: 196V, 25A, 10Ohm Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK	Disponibile7.902
IRG7CH11K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.078
IRG7CH20K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.028
IRG7CH23K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile7.560
IRG7CH28UED Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile2.808
IRG7CH28UEF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 60nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/225ns Condizione di test: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.724
IRG7CH30K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.56V @ 15V, 10A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 4.8nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 10ns/90ns Condizione di test: 600V, 10A, 22Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.796
IRG7CH35UED Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.114
IRG7CH35UEF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 5A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 85nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 30ns/160ns Condizione di test: 600V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile3.672
IRG7CH37K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 15A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 80nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/122ns Condizione di test: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.682
IRG7CH42UED Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.888
IRG7CH42UEF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 5A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 157nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/229ns Condizione di test: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.736
IRG7CH44K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 25A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 160nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 60ns/230ns Condizione di test: 600V, 25A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile6.966
IRG7CH46UED Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile4.410
IRG7CH46UEF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile8.424
IRG7CH50K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT CHIP WAFER Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 170nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 50ns/280ns Condizione di test: 600V, 35A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.832
IRG7CH50UED Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile3.508
IRG7CH50UEF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: * Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: - Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.544
IRG7CH54K10EF-R Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 10A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 290nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 75ns/305ns Condizione di test: 600V, 50A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile2.736
IRG7CH73K10EF Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 360nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 63ns/267ns Condizione di test: 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile8.118
IRG7CH73K10EF-R Infineon Technologies	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V ULTRA FAST DIE Produttore: Infineon Technologies Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A Potenza - Max: - Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 420nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 105ns/45ns Condizione di test: 600V, 75A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: Die Pacchetto dispositivo fornitore: Die	Disponibile5.760

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