IRG7CH30K10EF
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| Numero parte | IRG7CH30K10EF |
| PNEDA Part # | IRG7CH30K10EF |
| Descrizione | IGBT CHIP WAFER |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.796 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRG7CH30K10EF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRG7CH30K10EF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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IRG7CH30K10EF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | Trench |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 10A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.56V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 4.8nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 10ns/90ns |
| Condizione di test | 600V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | Die |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
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