Transistor

Transistor - Bipolare (BJT) - Array (1.432)
Transistor - Bipolare (BJT) - Array, pre-polarizzati (1.584)
Transistor - Bipolare (BJT) - RF (1.506)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo (13.715)
Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo, pre-polarizzato (3.282)
Transistor - FET, MOSFET - Array (3.829)
Transistor - FET, MOSFET - RF (3.043)
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Transistor - Scopo speciale (162)

Record 64.903

Pagina 2044/2164

Numero parte	Descrizione	Disponibile
GPA040A120L-ND Global Power Technologies Group	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 80A 455W TO264 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo IGBT: NPT and Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 40A Potenza - Max: 455W Switching Energy: 5.8mJ (on), 1.5mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 510nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 41ns/200ns Condizione di test: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 220ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile6.696
GPA040A120MN-FD Global Power Technologies Group	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 80A 480W TO3PN Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Potenza - Max: 480W Switching Energy: 5.3mJ (on), 1.1mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 480nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 55ns/200ns Condizione di test: 600V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 200ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile8.028
GPA042A100L-ND Global Power Technologies Group	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1000V 60A 463W TO264 Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo IGBT: NPT and Trench Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1000V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A Potenza - Max: 463W Switching Energy: 13.1mJ (on), 6.3mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 405nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 230ns/1480ns Condizione di test: 600V, 60A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 465ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-264-3, TO-264AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-264	Disponibile7.812
GPA060A060MN-FD Global Power Technologies Group	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 120A 347W TO3PN Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 120A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Potenza - Max: 347W Switching Energy: 2.66mJ (on), 1.53mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 225nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 45ns/150ns Condizione di test: 400V, 60A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 140ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile7.254
GPI040A060MN-FD Global Power Technologies Group	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 80A 231W TO3PN Produttore: Global Power Technologies Group Serie: - Tipo IGBT: Trench Field Stop Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 80A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Potenza - Max: 231W Switching Energy: 1.46mJ (on), 540µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 173nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 35ns/85ns Condizione di test: 400V, 40A, 5Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 60ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3PN	Disponibile2.466
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 400V 1W 8-SOIC Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 400V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A Potenza - Max: 1W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 3.1µs/2µs Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-SOP (5.5x6.0)	Disponibile6.030
GT10J312(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 10A 60W TO220SM Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 10A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Potenza - Max: 60W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 400ns/400ns Condizione di test: 300V, 10A, 100Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 200ns Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-220SM	Disponibile7.830
GT50J121(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 50A 240W TO3P LH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 50A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A Potenza - Max: 240W Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 90ns/300ns Condizione di test: 300V, 50A, 13Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PL Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(LH)	Disponibile2.448
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1000V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 60A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A Potenza - Max: 170W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 330ns/700ns Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): 2.5µs Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-3PL Pacchetto dispositivo fornitore: TO-3P(LH)	Disponibile7.254
GT8G133(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 400V 600MW 8TSSOP Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 400V Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A Potenza - Max: 600mW Switching Energy: - Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: - Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 1.7µs/2µs Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore: 8-TSSOP	Disponibile4.896
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Potenza - Max: 298W Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/165ns Condizione di test: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile8.172
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 35A 298W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Potenza - Max: 298W Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/165ns Condizione di test: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile20.412
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 54A 167W D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 78nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 17ns/96ns Condizione di test: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 30ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile2.916
HGT1S12N60A4S9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 54A 167W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 54A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A Potenza - Max: 167W Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 78nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 17ns/96ns Condizione di test: 390V, 12A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile5.904
HGT1S14N36G3VLS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 390V 18A 100W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 390V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 18A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Potenza - Max: 100W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 24nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/7µs Condizione di test: 300V, 7A, 25Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile7.362
HGT1S14N36G3VLT ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 390V 18A 100W TO262AA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 390V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 18A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A Potenza - Max: 100W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 24nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/7µs Condizione di test: 300V, 7A, 25Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK (TO-262)	Disponibile7.092
HGT1S20N35G3VLS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 380V 20A 150W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 375V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 20A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A Potenza - Max: 150W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 28.7nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/15µs Condizione di test: 300V, 10A, 25Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile4.212
HGT1S20N36G3VL ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 395V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 37.7A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A Potenza - Max: 150W Switching Energy: - Tipo di ingresso: Logic Gate Charge: 28.7nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: -/15µs Condizione di test: 300V, 10A, 25Ohm, 5V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: I2PAK (TO-262)	Disponibile6.120
HGT1S20N60A4S9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 70A 290W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 70A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 280A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A Potenza - Max: 290W Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 142nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/73ns Condizione di test: 390V, 20A, 3Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile4.104
HGT1S20N60C3S9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 45A 164W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 45A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A Potenza - Max: 164W Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 91nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 28ns/151ns Condizione di test: 480V, 20A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile21.156
HGT1S2N120CN ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 13A 104W I2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 13A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A Potenza - Max: 104W Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 30nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 25ns/205ns Condizione di test: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore: TO-262	Disponibile6.606
HGT1S3N60A4DS9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 17A 70W D2PAK Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 17A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A Potenza - Max: 70W Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 21nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 6ns/73ns Condizione di test: 390V, 3A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 29ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile6.930
HGT1S7N60A4DS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 34A 125W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 34A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A Potenza - Max: 125W Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 37nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 11ns/100ns Condizione di test: 390V, 7A, 25Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 34ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile3.492
HGT1S7N60C3DS ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 14A 60W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 14A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Potenza - Max: 60W Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 37ns Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile3.204
HGT1S7N60C3DS9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 14A 60W TO263AB Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 14A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Potenza - Max: 60W Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: 480V, 7A, 50Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 37ns Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore: TO-263AB	Disponibile8.316
HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 5.3A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A Potenza - Max: 60W Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 14nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 15ns/67ns Condizione di test: 960V, 1A, 82Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA	Disponibile47.598
HGTD3N60C3S9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 6A 33W TO252AA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 6A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A Potenza - Max: 33W Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 10.8nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: 480V, 3A, 82Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA	Disponibile5.292
HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 600V 14A 60W TO252AA Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 14A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Potenza - Max: 60W Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 23nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: - Condizione di test: - Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Surface Mount Pacchetto / Custodia: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-252AA	Disponibile6.408
HGTG10N120BND ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 35A 298W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 35A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Potenza - Max: 298W Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/165ns Condizione di test: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): 70ns Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile15.480
HGTG11N120CN ON Semiconductor	Transistor - IGBT - Singolo IGBT 1200V 43A 298W TO247 Produttore: ON Semiconductor Serie: - Tipo IGBT: NPT Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 43A Corrente - Collettore Pulsato (Icm): 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A Potenza - Max: 298W Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off) Tipo di ingresso: Standard Gate Charge: 100nC Td (acceso / spento) @ 25 ° C: 23ns/180ns Condizione di test: 960V, 11A, 10Ohm, 15V Tempo di recupero inverso (trr): - Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Through Hole Pacchetto / Custodia: TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore: TO-247-3	Disponibile7.110

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