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GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

Solo per riferimento

Numero parte GT8G133(TE12L,Q)
PNEDA Part # GT8G133-TE12L-Q
Descrizione IGBT 400V 600MW 8TSSOP
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.896
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 25 - apr 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

GT8G133(TE12L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteGT8G133(TE12L,Q)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
GT8G133(TE12L, GT8G133(TE12L Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 221,77 KB)
PDFGT8G133(TE12L Datasheet Copertura
GT8G133(TE12L Datasheet Pagina 2 GT8G133(TE12L Datasheet Pagina 3 GT8G133(TE12L Datasheet Pagina 4 GT8G133(TE12L Datasheet Pagina 5 GT8G133(TE12L Datasheet Pagina 6 GT8G133(TE12L Datasheet Pagina 7

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  • GT8G133(TE12L,Q) Distributor

GT8G133(TE12L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)400V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 4V, 150A
Potenza - Max600mW
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge-
Td (acceso / spento) @ 25 ° C1.7µs/2µs
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

51A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

1.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/100ns

Condizione di test

720V, 28A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Potenza - Max

480W

Switching Energy

480µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

146nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/95ns

Condizione di test

400V, 50A, 2Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

Potenza - Max

80W

Switching Energy

85µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

42nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/75ns

Condizione di test

480V, 7A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

SGL160N60UFTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

160A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 80A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

2.5mJ (on), 1.76mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

345nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/90ns

Condizione di test

300V, 80A, 3.9Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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