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Numero parte	Descrizione	Disponibile
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli MODULE IGBT SOT-227 Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 125A Potenza - Max: 447W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: SOT-227-4, miniBLOC Pacchetto dispositivo fornitore: SOT-227	Disponibile6.552
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 100A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 8.96nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile7.560
VS-GB100LP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 658W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-Pak Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile4.806
VS-GB100NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile7.740
VS-GB100TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 833W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 8.58nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile5.058
VS-GB100TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 8.45nF @ 20V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile6.066
VS-GB100TP120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 200A Potenza - Max: 650W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 7.43nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-Pak Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile2.718
VS-GB100TP120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 150A Potenza - Max: 735W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 2mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-Pak Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile5.886
VS-GB100TS120NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 200A INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: * Tipo IGBT: - Configurazione: - Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): - Corrente - Collettore (Ic) (Max): - Potenza - Max: - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: - Corrente - Taglio collettore (Max): - Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: - Termistore NTC: - Temperatura di esercizio: - Tipo di montaggio: - Pacchetto / Custodia: - Pacchetto dispositivo fornitore: -	Disponibile5.886
VS-GB100TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 108A Potenza - Max: 390W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 100µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-Pak Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile8.658
VS-GB100YG120NT Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 127A Potenza - Max: 625W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 100A Corrente - Taglio collettore (Max): 80µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: ECONO3 4PACK	Disponibile2.142
VS-GB150LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 300A 1389W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300A Potenza - Max: 1389W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.87V @ 15V, 150A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 1mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 10.6nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile3.006
VS-GB150TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 300A 1008W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 300A Potenza - Max: 1008W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile6.822
VS-GB150TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 280A 1147W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 280A Potenza - Max: 1147W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 12.7nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile7.200
VS-GB150TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 138A 500W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 138A Potenza - Max: 500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A Corrente - Taglio collettore (Max): 200µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile2.124
VS-GB150YG120NT Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli OUTPUT & SW MODULES - ECONO IGBT Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Full Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 182A Potenza - Max: 892W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max): 120µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Module Pacchetto dispositivo fornitore: ECONO3 4PACK	Disponibile7.308
VS-GB15XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 30A 187W MTP Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Three Phase Inverter Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 30A Potenza - Max: 187W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.66V @ 15V, 30A Corrente - Taglio collettore (Max): 250µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: Yes Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: 12-MTP Module Pacchetto dispositivo fornitore: MTP	Disponibile5.022
VS-GB200LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 370A 1562W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 370A Potenza - Max: 1562W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.07V @ 15V, 200A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 100nA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile4.104
VS-GB200NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 420A 1562W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 420A Potenza - Max: 1562W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 200A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile3.816
VS-GB200TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 360A Potenza - Max: 1136W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 14.9nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile2.646
VS-GB200TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 330A Potenza - Max: 1316W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 16.9nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile2.250
VS-GB200TS60NPBF Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: NPT Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 600V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 209A Potenza - Max: 781W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.84V @ 15V, 200A Corrente - Taglio collettore (Max): 200µA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: - Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: INT-A-PAK	Disponibile3.546
VS-GB300AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 620A 2500W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 620A Potenza - Max: 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (5) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile5.670
VS-GB300LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500A Potenza - Max: 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 300A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile2.412
VS-GB300NH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500A Potenza - Max: 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile4.608
VS-GB300TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 500A 1645W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 500A Potenza - Max: 1645W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 21.2nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile7.650
VS-GB300TH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 530A 2119W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 530A Potenza - Max: 2119W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 300A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 25.3nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile2.286
VS-GB400AH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 650A 2500W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 650A Potenza - Max: 2500W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 30nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (5) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile2.466
VS-GB400AH120U Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 550A 2841W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Single Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 550A Potenza - Max: 2841W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 400A Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 33.7nF @ 30V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (5) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile6.516
VS-GB400TH120N Vishay Semiconductor Diodes Division	Transistor - IGBT - Moduli IGBT 1200V 800A 2604W INT-A-PAK Produttore: Vishay Semiconductor Diodes Division Serie: - Tipo IGBT: - Configurazione: Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max): 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max): 800A Potenza - Max: 2604W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A (Typ) Corrente - Taglio collettore (Max): 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce: 32.7nF @ 25V Input: Standard Termistore NTC: No Temperatura di esercizio: -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio: Chassis Mount Pacchetto / Custodia: Double INT-A-PAK (3 + 4) Pacchetto dispositivo fornitore: Double INT-A-PAK	Disponibile7.992

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