VS-GB100TP120U
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| Numero parte | VS-GB100TP120U |
| PNEDA Part # | VS-GB100TP120U |
| Descrizione | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.886 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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VS-GB100TP120U Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | VS-GB100TP120U |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
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VS-GB100TP120U Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Half Bridge |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 150A |
| Potenza - Max | 735W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 100A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 2mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.3nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | INT-A-Pak |
| Pacchetto dispositivo fornitore | INT-A-PAK |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo IGBT Trench Field Stop Configurazione Half Bridge Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 1200V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 600A Potenza - Max 3350W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 600A Corrente - Taglio collettore (Max) 5mA Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 37nF @ 25V Input Standard Termistore NTC Yes Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore Module |
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